OCZ ARC 100 SSD mit 240 GB im Test


Erschienen: 01.09.2014, Autor: Stefan Boller, Patrick von Brunn
OCZ ARC 100 240 GB

Wie bereits im Vorwort erwähnt, soll die ARC 100 im Einsteigerbereich agieren und vor allem durch eine attraktive Preisgestaltung, gepaart mit hohen Leistungswerten, Kunden begeistern. Bei der verwendeten Controller-Technik setzt man dennoch auf bewährte High-End-Komponenten, die wir schon von anderen OCZ-Familien kennen. Konkret handelt es sich um den Barefoot 3 M10 von Indilinx (IDX500M10-BC), der auch schon bei der Vertex 460 zum Einsatz kommt. Der Barefoot 3 (IDX500M00-BC) kam erstmals in den Drives der Vector-Serie zum Einsatz und die aufpolierte M10-Variante dient sowohl als Basis für die aktuellen Vertex-Drives als auch die neuen ARC 100 Modelle. Zu den Verbesserungen an dieser Controller-Revision zählt unter anderem ein verbrauchsoptimierter Taktgenerator, sowie eine generell niedrigere Kernfrequenz, wovon sich OCZ eine höhere Chipausbeute bei der Produktion verspricht. Davon wiederum sollen OCZs Endkunden profitieren, da eine lückenlose Verfügbarkeit der Laufwerke und stabile Preise gewährleistet werden können. Mehr Informationen zu den Modellen und den Preisen auf Seite 3.

Der Controller basiert auf einem ARM-Cortex-Kern, der die SATA3-Schnittstelle mit 6 Gbps (Serial ATA Revision 3.2) realisiert, sowie einem Aragon genannten Co-Prozessor. Letzterer ist ein laut OCZ speziell für SSDs optimierter Prozessor, der sich um die Anbindung des NAND-Flash-Speichers und weiterer Komponenten kümmert. Über 8 Kanäle können ONFI- und Toggle-Speicher vom Barefoot 3 angesteuert werden, die über eine zusätzliche ECC-Engine gesichert werden. Laut Datenblatt ist somit die Korrektur von bis zu 44 zufälligen Bitfehlern pro 1 KB Rohdaten möglich (bis zu 28 bei einer Vertex 450). Ein zusätzlicher DRAM-Controller dient zur Anbindung von DDR2- oder DDR3-Cache, um Lese- und Schreiboperationen entsprechend puffern zu können. Der überarbeitete BF3-M10 unterstützt außerdem eine 256 Bit starke AES-Verschlüsselung und in einem 19 nm Fertigungsprozess hergestellte NAND-Flashes.

Insgesamt 16 Speicherchips vom Typ MLC (Multi-Level Cell) sind bei unserem 240 GB Testmuster gleichmäßig auf der Vorder- und der Rückseite des PCBs untergebracht. Die von Toshiba stammenden A19 nm NAND-Flash-Speicher (2. Generation) tragen die Bezeichnung TH58TEG7DDKBA4C (Toggle-Mode) und können jeweils bis 16 Gigabyte Daten fassen, was in Summe somit 256 Gigabyte Speicherkapazität ergibt. Diese stehen dem Kunden nicht vollständig für die Datenspeicherung zur Verfügung (~228 GB formatiert), da ein separater Block für "Over-Provisioning" reserviert wird – dieser dient typischerweise dem Ausgleich defekter Speicherzellen und erhöht die Lebensdauer von Solid State Drives. Flankiert wird der BF3-M10 von einem 512 MB großen DDR3-DRAM-Cache, bestehend aus zwei einzelnen 256 MB Chips aus dem Hause Micron (4HK77-D9PSH).

Im Gegensatz zu den SandForce-Controllern, arbeitet ein Barefoot 3 M10 ohne transparente Kompression der Rohdaten. Das heißt im Umkehrschluss, dass die Datenrate nicht durch den möglichen Grad der Kompression der vorliegenden Daten bestimmt wird. Diese Tatsache werden wir in unseren Benchmarks (AS SSD, Seite 5) noch einmal separat verdeutlichen.

TRIM gehört ebenso zum Repertoire der ARC 100 Familie. Der TRIM-Befehl ermöglicht es einem Betriebssystem der SSD mitzuteilen, dass gelöschte oder anderweitig freigewordene Blöcke nicht mehr benutzt werden. Im Normalfall vermerkt das Betriebssystem in den Verwaltungsstrukturen des Dateisystems, dass die entsprechenden Bereiche wieder für neue Daten zur Verfügung stehen; der Controller des Solid State-Laufwerks erhält diese Informationen in der Regel jedoch nicht. Durch den ATA-Befehl TRIM wird dem Laufwerk beim Löschen von Dateien mitgeteilt, dass es die davon betroffenen Blöcke als ungültig markieren kann, anstelle deren Daten weiter vorzuhalten. Die Inhalte werden nicht mehr weiter mitgeschrieben, wodurch die Schreibzugriffe auf das Laufwerk beschleunigt und zudem die Abnutzungseffekte verringert werden.


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