OCZ Vertex 460 SSD mit 240 GB im Test


Erschienen: 07.03.2014, Autor: Stefan Boller, Patrick von Brunn
Technologiewandel im NAND-Flash-Bereich

Die Besonderheit bei der Vertex 460 sind eben jene verbauten NAND-Flashes (TH58TEG7DDJBA4C), die in einem 19 nm Fertigungsprozess entstehen und eine Reduktion der Herstellungskosten erlauben (verglichen mit 25 oder 32 nm). Dies wird möglich, da durch den geringeren Platzbedarf mehr Chips aus einem 300 mm Silizium-Wafer gewonnen werden können und die Produktion insgesamt (kosten)effizienter abläuft. Dadurch entstehende preisliche Vorteile kann Toshiba bzw. letztlich OCZ mehr oder weniger direkt an den Endkunden weitergeben und für eine attraktive Preisgestaltung im umkämpften Entry-Level-Markt sorgen. Aber auch High-End-Drives wie die Vertex 460 profitieren hiervon.

Auf der Vertex 460 sitzt ein Barefoot 3 M10 Controller.

Doch wo Licht ist, ist bekanntlich auch Schatten: Nachteilig wirkt sich die Reduktion der Strukturbreite nämlich auf die Lebenserwartung der Speicherzellen aus, denn die maximal mögliche Anzahl von Schreib- und Löschzyklen (Program/Erase-Cycles) sinkt. Zum Vergleich: Während bei einer Vertex 3 mit 29F64G08ACME2 NAND-Flashes (25 nm) noch 5.000 P/E-Cycles im Datenblatt nachzulesen waren, muss sich der Flash der Vertex 3.20 (29F16B08CCMF3, 20 nm) mit 3.000 Zyklen begnügen – was immer noch sehr viel ist. Auf der anderen Seite muss man außerdem in Betracht ziehen, dass sich nicht nur die Angabe der P/E-Cycles entscheidend für die Lebensdauer der Flash-Speicher ist, denn das Thema ist deutlich komplexer. Wesentlicher Bestandteil dieser Zusammenhänge ist die Möglichkeit der Fehlerkorrektur (ECC), wo wiederum die Firmware der Drives ins Spiel kommt. In Sachen Haltbarkeit bzw. Lebenserwartung gibt OCZ eine Schreiblast von bis zu 20 GB pro Tag über einen Zeitraum von drei Jahren für die Vertex 460 an.

Ziel des 19-nm-Shrinks ist sowohl die Kosteneinsparung als auch die verbesserte Verfügbarkeit der Chips. Heutzutage sind Flash-Speicher ein fester Bestandteil in sehr vielen elektronischen Endprodukten (Smartphones, Tablets etc.) und der entsprechend steigende Bedarf lässt sich dadurch abfangen. TLC ist eine weitere Alternative zum beliebten MLC.

Single-Level-Cell (SLC) Multi-Level-Cell (MLC) Triple-Level-Cell (TLC)
Bits per Cell 1 2 3
P/E-Cycles 100.000 3.000-5.000 1.000-1.500
Read Time 25 µs 50 µs 75 µs
Program Time 200-300 µs 600-900 µs ~900-1350 µs
Erase Time 1,5-2 ms 3 ms ~4,5 ms

Der größte Konkurrent des 19 nm MLC im günstigen Entry-Level heißt TLC und findet unter anderem bei aktuellen Drives von Samsung (SSD 840 Familie) Verwendung. TLC-Zellen (Triple-Level-Cell) sind in der Lage bis zu drei Bit zu speichern, die durch acht unterschiedliche Schaltzustände abgebildet werden. Dadurch kann eine deutlich höhere Speicherdichte erreicht werden, was wiederum die Kosten für entsprechende Endprodukte sinken lässt. Durch die höhere Anzahl unterschiedlicher Spannungsniveaus (TLC: 2^3 = 8 / MLC: 2^2 = 4) sind diese Zelltypen aber auch anfälliger für die Abnutzung und letztlich den Ausfall. Genaue Informationen über die Zuverlässigkeit sind aktuell nicht verfügbar, Samsung gibt jedoch drei Jahre Garantie auf entsprechende Laufwerke. Bei den maximal möglichen P/E-Cycles von TLC-Zellen spricht man zur Zeit von 1.000-1.500. Noch fehlen Langzeitstudien und Erfahrungswerte, da es sich um eine neue Technologie im SSD-Bereich handelt, die zudem bislang nur von sehr wenigen Herstellern in entsprechenden Endprodukten eingesetzt wird.

Modelle und Preise

Aktuell bietet OCZ die neuen Vertex 460 Drives in drei Ausführungen bzw. unterschiedlichen Kapazitäten an. Die verschiedenen Modelle verfügen über wahlweise 120, 240 oder sogar satte 480 GB Speicherkapazität. Die beiden erstgenannten wechseln ab 90 bzw. 160 Euro den Besitzer, für das Topmodell mit 480 GB muss man rund 310 Euro auf den Tisch legen (Quelle: Geizhals.de, Stand: 03/2014). Daraus ergeben sich Preise pro Gigabyte von 75, 67 bzw. 65 Cent. In der unten stehenden Tabelle sind alle wesentlichen technischen Eckdaten der Familie nachzulesen. Weitere Informationen zu unserem Testkandidaten erhalten Sie auf den nun folgenden Seiten des Artikels.

Modell Random 4K Read Random 4K Write Sequential Read Sequential Write
480 GB 95.000 IOPS 90.000 IOPS 545 MB/s 525 MB/s
240 GB 85.000 IOPS 90.000 IOPS 540 MB/s 525 MB/s
120 GB 80.000 IOPS 90.000 IOPS 530 MB/s 420 MB/s

Die neuen 19 nm NAND-Speicher stammen aus den Fabrikhallen von Toshiba.


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