Intel hat auf dem Intel Developer Forum in Japan neue Multi-Level Cell Flash-Produkte, welche sich durch hohe Performance, unterschiedliche Speicherdichten und umfangreiche Packaging-Optionen auszeichnen vorgestellt. Der NOR Flash-Speicher namens Intel StrataFlash Embedded Memory ist speziell für den Embedded-Markt wie Unterhaltungs- und Industrieelektronik oder die drahtgebundene Kommunikation bestimmt.
NOR (not-or) Flash-Speicher ist wiederbeschreibbar und benötigt keine permanente Stromzufuhr um Daten zu speichern. Mit der vierten Generation der Multi-Level Cell-Technologie kann das herkömmliche Speichervolumen verdoppelt werden, indem 2 Bits in jeder Speicherzelle untergebracht werden. Die StrataFlash Embedded Memory Produktfamilie von Intel soll in Speicherdichten von 64 Mb (Megabit) bis 1 Gb verfügbar sein - die Speicherdichten von 64 Mb bis 512 Mb sind bereits im zweiten Quartal 2005 erhältlich. Flash-Speicher mit 1 Gb Speicherdichte kommen in der zweiten Jahreshälfte 2005 auf den Markt.