AMD und IBM haben heute die gemeinsame Entwicklung der neuen Strained-Silicon-Transistortechnologie angekündigt. Damit ist es möglich, die Leistungsfähigkeit von Prozessoren
zu steigern sowie die Stromaufnahme zu optimieren. Verglichen mit herkömmlich gefertigten Transistoren bietet der neue Fertigungsprozess eine um bis zu 24 Prozent
gesteigerte Geschwindigkeit der Transistoren bei gleicher Leistungsaufnahme.
Zwar arbeiten kleinere Transistoren schneller, bergen aber
das Risiko, dass sie aufgrund von Leckströmen oder uneffizienten Schaltvorgängen, eine höhere Leistung aufnehmen und damit unerwünschte Wärme erzeugen. Das von AMD und IBM entwickelte Strained Silicon hilft, diese Hürden zu überwinden. AMD und IBM sind die ersten
Unternehmen, die Strained-Silicon in Kombination mit der Silicon-on-Insulator-Technologie vorstellen. Der neue Strained-Silicon-Prozess, genannt Dual Stress Liner, verbessert die Leistung sowohl von n-Kanal- als auch
p-Kanal-Transistoren, indem die Siliziumatome in einem Transistor gestreckt und im anderen komprimiert werden. Die Dual-Stress-Liner-Technik benötigt keine kostenintensiven und kritischen neuen Fertigungstechniken, so dass sie schnell in die Massenproduktion auf Standard-
Produktionsanlagen mit üblichen Materialen zu überführen ist.
AMD beabsichtigt die neue Strained-Silicon-Technologie schrittweise bei der Produktion aller seiner 90 nm Prozessoren einzuführen, einschließlich der künftigen AMD64
Multi-Core-Produkte. Die Auslieferung der ersten Prozessoren, die diese neue Technologie
verwenden, ist für die erste Jahreshälfte 2005 geplant. IBM plant ebenfalls ab der ersten Jahreshälfte 2005, Strained Silicon auf mehreren Prozessorplattformen zu verwenden, einschließlich der Chips, die auf der PowerPC-Architektur basieren.
