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MRAM: Temporekord bei magnetischen Speicherchips
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Hardware-Mag
Redakteur


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Dabei seit: 16.12.2005
Beiträge: 6.776

MRAM: Temporekord bei magnetischen Speicherchips Auf diesen Beitrag antworten Zitatantwort auf diesen Beitrag erstellen Diesen Beitrag editieren/löschen Diesen Beitrag einem Moderator melden

Wissenschaftler der Physikalischen-Technischen Bundesanstalt (PTB) in Braunschweig haben eine Methode entwickelt, mit der die neuen Speicherchips MRAM (Magnetic Random Access Memory) beschleunigt werden können. Im Gegensatz zu den bisherigen Computerspeicherchips DRAM und SRAM (Dynamic und Static Random Access Memory) können MRAM Informationen auch dann speichern, wenn zwischenzeitlich der Strom abgestellt wird. Ihr Nachteil: Sie hinken in der Geschwindigkeit den alten Chips hinterher.

Das Forscherteam rund um Hans Werner Schumacher von der PTB hat nun eine Lösung gefunden, die Performance der denkenden Chips zu erhöhen. Mit Hilfe einer ballistischen Methode werden die einzelnen Bits gezielter als bisher angesteuert. So können die Zugriffszeiten laut Schumacher auf weniger als 500 Pikosekunden (ps) gesenkt werden und MRAM zukünftig in der Taktrate mit den schnellsten flüchtigen Speicherbauteilen, den SRAM, konkurrieren.

Kernidee der so genannten ballistischen Bitansteuerung ist es, die zur Programmierung dienenden Magnetimpulse so geschickt zu wählen, dass die anderen Zellen im MRAM so gut wie gar nicht magnetisch angeregt werden. Der Puls sorgt dafür, dass die Magnetisierung einer zu schaltenden Zelle eine halbe Präzisionsdrehung (180 Grad) vollführt, während eine Zelle, deren Speicherzustand unverändert bleiben soll, eine volle Präzisionsdrehung (360 Grad) beschreibt. In beiden Fällen ist die Magnetisierung nach Abklingen des Magnetimpulses im Gleichgewichtszustand und es treten keine magnetischen Anregungen mehr auf.

Diese optimale Bitansteuerung funktioniert mit ultrakurzen Schaltimpulsen von unter 500 ps Dauer. Somit liegen die maximalen Taktraten des MRAM über zwei GHz. Zusätzlich ist es möglich, mehrer Bits gleichzeitig zu programmieren, wodurch die effektive Schreibrate pro Bit nochmals um über eine Größenordnung gesteigert werden könnte. Damit können nun erstmals nichtflüchtige Speicherbausteine gebaut werden, die in der Taktrate mit den schnellsten flüchtigen Speicherbausteinen, den SRAM, konkurrieren können.

15.08.2005 10:00 E-Mail an Hardware-Mag senden Homepage von Hardware-Mag Beiträge von Hardware-Mag suchen
Gast
unregistriert
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Gut gemacht Deutschland, aber produziert wirds schlußendlich doch in Taiwan :-(

15.08.2005 16:16
Babe Babe ist männlich
Redakteur


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Dabei seit: 24.12.2005
Beiträge: 7.977
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AW: MRAM: Temporekord bei magnetischen Speicherchips Auf diesen Beitrag antworten Zitatantwort auf diesen Beitrag erstellen Diesen Beitrag editieren/löschen Diesen Beitrag einem Moderator melden

man kann davon ausgehen, aber Lizenzgebühren bleiben wenn dann schon in D smile




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16.08.2005 10:38 E-Mail an Babe senden Homepage von Babe Beiträge von Babe suchen
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