AMD erzielt Durchbruch bei Transistor- und Speicherzellen Forschung


Erschienen: 09.12.2002, 06:30 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Neueste Erkenntnisse bilden das Fundament für zukünftige hochleistungsfähige Produkte. Erste Aspekte dieser Forschungen werden wir allerdings frühstens im Jahre 2005 in Form von ersten Produkten sehen. Trotz dessen, kann AMD eindrucksvoll seine Führung im Bereich der Forschung und Entwicklung unter Beweis stellen. Mehr Informationen in der Pressemitteilung...

"Sunnyvale, 9. Dezember 2002. AMD (NYSE:AMD) wird heute auf dem diesjährigen International Electron Devices Meeting (IEDM) eine Reihe neuer technischer Errungenschaften präsentieren, die für die Herstellung von Transistoren und Speicherzellen der nächsten Generation von Bedeutung sind. Damit stellt AMD eindrucksvoll seine Führung bei der Forschung und Entwicklung auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie unter Beweis. Das IEDM findet vom 8. bis 11. Dezember in San Francisco statt. Erste Aspekte dieser Forschungen könnten sich frühestens 2005 in Produkten niederschlagen.

„AMDs Forschungen auf dem Gebiet der Entwicklung von Transistoren und Speicherzellen der nächsten Generation ist bereits sehr weit fortgeschritten. Einmal perfektioniert, werden die Ergebnisse dieser Entwicklungsanstrengungen die Produkte unserer Kunden in nie zuvor erreichte Leistungsdimensionen befördern“, so Craig Sander, Vice President of Process Technology Development bei AMD..."

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