Infineon stellt 1 und 2 GByte DDR-RAM vor


Erschienen: 26.03.2002, 06:30 Uhr, Quelle: ZDNet, Autor: Michael Wendt

Infineon hat erste lauffähige 1GByte unbuffered und 2GByte buffered DDR-RAM Entwicklungsmuster vorgestellt.
Während die 1GByte Module in Hochleistungs PC´s und Workstations zum Einsatz kommen sollen, sind die 2GByte DDR-RAM Module für den Server-, und Workstationbereich mit Hauptspeicher-Anwendungen ausgelegt. Die neuen Speichermodule sollen die ersten sein, die auf 512MB Singleside-IC´s basieren.
Besonders für OEM Hersteller soll das vorteile bezüglich Speicherdichte, Ladezeiten, Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit bringen.

Laut Infineon, sind die Eingesetzten 512-MBit-Speicherkomponenten, die einzigsten die man in einem Silizium-Speicherchip, in TSOP-II Bauweise integrieren kann. Bei den Herkömmlichen Modulen, benötigte man noch für zwei Speicherchips ein Gehäuse.
Vorteil der neuen Bauweise ist die verbesserte Signalintegrität, verringerte Leistubgsaufnahme und bessere Zuverlässigkeit der Module.
Die Module sollen wie folgt aufgebaut sein:

1GByte DDR-RAM:
  • 2,5V Spannung

  • 184polig

  • 18 Chips je 512MBit

  • zu 64Mx8 organisiert


  • 2GByte DDR-RAM:
  • 2,5V Spannung

  • 184polig

  • 36 Chips je 512MBit

  • zu 256Mx4 organisiert


  • Sollte also mal ein Chip ausfallen, sollen die Module ohne Fehler weiterarbeiten können. Die Module werden als PC1600 und PC2100 verfügbar sein.

    Das Entwicklungsmuster vom 1GByte-Modul ist absofort für 1900$ und das 2GByte-Modul ist ab April für 3900$ von Infineon zu haben.

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