AMD stellte kleinsten Transistor her


Erschienen: 12.09.2002, 06:30 Uhr, Quelle: AMD, Autor: Michael Mense

Advanced Micro Devices (AMD) gab vor kurzem bekannt das es ihnen gelungen ist den kleinsten Duoble-Gate Transistor herzustellen, der je mit Standardtechnologie gebaut wurde. Mit einer grösse von Zehn Nanometern (ein zehn Milliardstel eines Meters) ist er somit 6 mal kleiner als der bisher kleinste produzierte. Das gute an dieser Entwicklung? - in Zukunft können so anstatt 100Millionen eine Milliarde Transistoren auf eine Chipfläche gebracht werden was bedeutet dass es bald viel leistungsfähigere Prozessoren geben kann als bisher.


Noch ein paar interessante Hintergrundinformationen von AMD direkt:

Transistoren sind winzige Schalter, die bei den gegenwärtigen Mikroprozessoren die integrierten Schaltkreise bilden. Die Struktur von Double Gate Transistoren verdoppelt effektiv den Strom, der durch einen Transistor geleitet werden kann. Das Fin Field Effect Transistor Design (FinFET) basiert auf einer dünnen, vertikalen „Siliziumlamelle“, die den Leckstrom minimiert, solange der Transistor im AUS-Stadium ist. Ein solches Design ermöglicht, neue Chips mit mehr Leistung und immer kleineren Maßen herzustellen.

„Die Transistorentwicklung ist entscheidend, wenn es darum geht, immer leistungsfähigere Produkte für unsere Kunden zu entwickeln”, so Craig Sander, Vice President Technology Development von AMD. „Die gesamte Halbleiterindustrie arbeitet mit Hochdruck daran, den wachsenden Herausforderungen gerecht zu werden, die bei der Entwicklung neuer Transistoren entstehen, die kleiner und leistungsstärker sind und zugleich nur eine geringe Abweichung von den heutigen Standardherstellungsverfahren aufweisen dürfen. Der FinFET Transistor beweist, dass wir weiterhin leistungsstarke Produkte liefern können, ohne die Basistechnologie unserer Industrie verlassen zu müssen. “

Der zehn Nanometer Complementary Metal Oxide Semiconductor Fin Field Effect Transistor (CMOS FinFET) von AMD ist das Ergebnis der gemeinsamen Forschung von AMD und der University of California in Berkeley mit Unterstützung der Semiconductor Research Corporation (SRC). Die Bausteine wurden im Submicron Development Center von AMD produziert.

„Die überlegene Kontrolle des Leckstromes machen die FinFET Transistoren zu einem attraktiven Kandidaten für zukünftige Nano CMOS Generationen, die im kommenden Jahrzehnt in die Produktion gehen sollen“, so Dr. Tsu-Jae King, Associate Professor of Electrical Engineering and Computer Sciences von der U.C. Berkeley. „FinFET hat ein enormes Potenzial, die Skalierbarkeit der CMOS Technologie zu erweitern.“

« Vorherige News Nächste News »
Weitere Meldungen

Kommentar abgebenZum Thread »


Sicherheitsabfrage
Bitte übertragen Sie den Code in das Eingabefeld!