AMD entwickelt neue Transistoren: 30 Prozent schneller als PMOS


Erschienen: 02.04.2003, 06:30 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Kurz gesagt, ist der PMOS (P-Kanal Metal-Oxide Semiconductor) Transistor der momentan schnellste dokumentierte Transistor der Welt. Doch AMD´s Entwickler konnten nun im Labor die ersten Transistoren fertigen, die über 30 Prozent schneller als diese PMOS Transistoren sind, und auf der bekannten Silicon-On-Insulator (SOI) Technik basieren. Im kommenden Juni will AMD die Ergebnisse der neuen High-Performance Transistoren offiziell präsentieren, und somit den Grundstein für kommende High-End Chips legen. Mehr Details in der beigefügten offiziellen Presseinfo von AMD Deutschland...

"Sunnyvale, 2. April 2003. Forscher von AMD (NYSE: AMD) haben als erste in der Halbleiterbranche bedeutende Meilensteine in der Entwicklung von Transistoren der nächsten Generation gesetzt.

In umfangreichen Laborarbeiten, deren Ergebnisse im Juni ausführlich präsentiert werden, haben Forscher von AMD einen High-Performance Transistor entwickelt und demonstriert, der bis zu 30% schneller ist als der beste derzeit dokumentierte PMOS (P-Kanal Metal-Oxide Semiconductor) Transistor. Der neue Transistor basiert auf proprietären Technologien von AMD sowie auf der allgemein als Fully Depleted Silicon-on-Insulator bezeichneten Technologie.

Im Zusammenhang mit diesen Laborarbeiten haben Forscher von AMD auch den branchenweit ersten “Strained Silicon” Transistor demonstriert, der aufgrund des erfolgreichen Einsatzes von Metall-Gates gegenüber herkömmlichen “Strained Silicon” Komponenten eine 20 bis 25% höhere Performance erzielt.

Diese Erfolge sind wichtige Meilensteine in AMDs ehrgeiziger Prozesstechnologie-Roadmap und gelten als Grundlage für das Design künftiger Mikroprozessoren, mit denen sich Kundenwünsche noch besser erfüllen lassen.

“Dank unserer Spitzenposition bei der Entwicklung von Transistoren, die mit höherer Performance arbeiten und mit geringeren Leckströmen sowie mit niedrigeren Versorgungsspannungen auskommen, können wir unseren Designteams genau die Bausteine zur Verfügung stellen, mit denen sich die von unseren Kunden geforderten Lösungen realisieren lassen”, so Craig Sander, Vice President of Process Technology Development bei AMD.

“Gute Designs beginnen mit der Verfügbarkeit der richtigen Werkzeuge und Materialien,” ergänzt Fred Weber, Vice President und Chief Technical Officer bei AMD’s Computational Products Group. Weber weiter: “Fortschrittliche Forschungsarbeiten wie diese sind genau das, was wir letztendlich zur Bereitstellung von Funktionalitäten der Spitzenklasse und für die eleganten Architekturlösungen benötigen, die unsere Kunden von uns erwarten.”

Die jüngsten Forschungserfolge von AMD dürften erwartungsgemäß in der zweiten Hälfte der Dekade eine wichtige Rolle bei der Herstellung von Halbleitern einnehmen. Beide Forschungsergebnisse werden erstmals auf dem diesjährigen VLSI Symposium (11. und 12. Juni) in Kyoto, Japan, präsentiert. Weitere Informationen gibt es auf der VLSI WebSite unter http://www.vlsisymposium.org/"

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