Neue AMD-Transistorentwicklung mit FDSOI


Erschienen: 11.12.2003, 06:30 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Auf dem IEEE International Electron Devices Meeting 2003 (IEDM) in Washington, gab AMD weitere Details seiner neusten SOI-Transistorentwicklung (Silicon-on-Insulator) der nächsten Generation bekannt. AMD´s neuste Entwicklung soll viele der anspruchsvollsten Herausforderungen überwinden, denen die heutige Halbleiterbranche bei 45 nm Technologiegenerationen gegenüber steht.

Während heutige Transistoren lediglich mit einem Gate ausgestattet sind, nutzt AMD´s neue Entwicklung gleich drei Gates. Darüber hinaus beinhaltet das neue Transistordesign mehrere Innovationen, die eine kontinuierliche Skalierung der Transistor-Gates bis auf 20 nm und darunter ermöglichen. Zugleich arbeitet die neue Transistorentwicklung mit höheren Frequenzen als bisherige Transistoren sowie mit niedrigeren Leckströmen. Ferner kommt AMD´s neuer Transistor ohne so genannte High-k Gate Dielektrika aus. Bei diesen konnten negative Einflüsse auf die Transistorleistung nachgewiesen werden. Die neusten AMD Multi-Gate-Transistoren beinhalten folgende Technologien:

  • Fully Depleted SOI (FDSOI): Die SOI-Technologie (Silicon-On-Insulator) der nächsten Generation, die Leistungssteigerungen und Energieeinsparungen bei heutigen SOIs ermöglicht.
  • Metal Gates: Gates, die statt aus dem heute verwendeten Polysilizium aus Nickel-Silizid bestehen und den Stromfluss verbessern sowie unerwünschte Leckströme reduzieren.
  • Locally Strained Channel: Ein revolutionärer Weg zur Anordnung fortschrittlicher Materialien in einer Form, die auf natürliche Weise die Atome innerhalb des elektrischen Pfads des Transistors zieht und Ströme besser fließen lässt.

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