IBM und Infineon entwickeln den MRAM


Erschienen: 11.06.2003, 06:30 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Die beiden Chipspezialisten IBM und Infineon entwickeln gemeinsam den neuen MRAM. MRAM (Magnetic Random Access Memory) ist eine Speichertechnologie, die magnetische anstelle von elektrischer Ladung verwendet, um Datenbits zu speichern. Somit könnte man vor allem mobile Computer deutlich verbessern: durch schnelleren Zugriff auf Daten und Anwendungen praktisch ohne Lade-Zeiten und weniger Batterieverbrauch. MRAM kombiniert die besten Merkmale heutiger Speichertechnologien: Die Speicherkapazität und niedrigen Kosten von Dynamic RAM (DRAM), die hohe Geschwindigkeit von Statischem RAM (SRAM) und die Fähigkeit der nicht verlorengehenden Datenspeicherung ohne Strom von Flash-Speichern. Weitere Informationen in der folgenden Pressemeldung...

"Kyoto, Japan, 10. Juni 2003 - IBM und Infineon Technologies gaben heute die Entwicklung der bislang fortschrittlichsten MRAM (Magnetic Random Access Memory)-Technologie bekannt, bei der magnetische Speicherelemente in einen leistungsfähigen Logik-Prozess integriert wurden.

Die heute vorgestellte Technologie könnte zur beschleunigten Markteinführung von MRAMs beitragen. Der innovativen Speichertechnologie wird das Potenzial eingeräumt, bereits ab 2005 einige der bisherigen Speichertechnologien zu ersetzen. Mit MRAMs sind Computer vorstellbar, die auf Knopfdruck sofort betriebsbereit sind und sich schnell wie eine Lampe an- und ausschalten lassen.

Auf dem in dieser Woche in Kyoto stattfindenden VLSI Symposium präsentierten IBM und Infineon ihren schnellen 128-Kbit-MRAM-Core. Der Chip wurde mit einem 0,18-µm-Logikprozess gefertigt, den für MRAM-Technologie bislang kleinsten bekannten Strukturen. Diese kleinen Strukturen haben IBM und Infineon erlaubt, eine extrem kleine MRAM-Speicherzelle von nur 1,4 Quadrat-Mikrometer zu erzeugen. Zum Vergleich: das ist etwa 20 Millionen mal kleiner als die Spitze eines Bleistift-Radiergummis. Die präzise Anordnung der magnetischen Strukturen in dieser winzigen Speicherzelle erlaubten den IBM- und Infineon-Forschern die Schreib- und Lese-Operationen genau zu steuern.

Als eine Speichertechnologie, die die Informationen (Daten-Bits) nicht in Form von elektrischen, sondern magnetischen Ladungselementen speichert, ist die MRAM-Technologie prädestiniert für mobile Computing-Produkte, die mehr Informationen bei schnellerem Zugriff und weniger Leistungsaufnahme speichern könnten. MRAMs vereinigen die bekannten Vorteile von heute eingesetzten Speichern: die Speicherkapazität und die niedrigen Kosten von DRAMs, die hohe Geschwindigkeit von SRAMs und die Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern. Da MRAMs die gespeicherten Daten auch nach dem Abschalten der Versorgungsspannung behalten, könnten Produkte wie PCs sofort nach dem Einschalten betriebsbereit sind, ohne auf das Booten durch Software warten zu müssen.

Die Arbeiten von IBM an MRAMs ergänzen die andauernde Entwicklung fortschrittlicher Embedded-DRAM-Technologien, die bereits kommerziell verfügbar sind und Vorteile gegenüber herkömmlichen SRAMs bieten.

"MRAM hat das Potenzial die universelle Speicher-Technologie der Zukunft zu werden", sagte Dr. T.C. Chen, Vice President Science and Technology bei IBM Research. "Dieser Durchbruch verdeutlicht, dass sich die MRAM-Technologie schnell fortentwickelt und innerhalb der nächsten fünf Jahre den Markt für Speicher fundamental verändern kann."

"Nichtflüchtige Speichertechnologien wie MRAM werden in Technology Lifestyle Solutions eine wichtige Rolle spielen. Und da wir uns in diesem Bereich als Nummer 1 unter den Halbleiterfirmen positionieren wollen, werden wir schon Anfang 2004 einen mit IBM entwickelten MRAM-Produktdemonstrator vorstellen. Zusammen mit Altis Semiconductor, einem Joint Venture von IBM und Infineon, werden wir die Voraussetzungen für die geplante MRAM-Massenfertigung ab frühestens 2005 schaffen," sagte Dr. Wilhelm Beinvogl, CTO für den Bereich Speicherprodukte bei Infineon..."

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