Intel demonstriert 65 nm Fertigungsprozess


Erschienen: 25.11.2003, 06:30 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Intel stellt erstmals voll funktionstüchtige SRAM-Bausteine (Static Random Access Memory), basierend auf der kommenden 65 Nanometer Technologie, her. Damit kommt dieser Fertigungsprozess planmäßig ab 2005 auf 300 mm Wafern in der Massenproduktion zum Einsatz. Dieser neue 65 Nanometer Fertigungsprozess ist eine Kombination aus Transistoren mit geringerer Verlustleistung, der zweiten Generation des Strained Silicon, schnellen Interconnects aus Kupfer und einem Low-k Dielektrikum.

Intel´s neuer 65 Nanometer Fertigungsprozess zeichnet sich durch Transistoren aus, die nur noch 35 Nanometer lang sind (Gatelänge). In der Massenproduktion werden sie damit die kleinsten Hochleistungstransistoren auf CMOS-Basis sein. Zum Vergleich: Die Transistoren die derzeit in Pentium IV Prozessoren zum Einsatz kommen messen 50 Nanometer.

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