Neuer Infineon MOSFET spart 50 Prozent Fläche


Erschienen: 04.11.2003, 06:30 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Infineon hat anlässlich der PowerSystems World 2003 Messe weitere Mitglieder seiner Leistungshalbleiter-Familie OptiMOS2 vorgestellt. Für diese wurde das SuperSO8-Gehäuse entwickelt, das in System-Designs bis zu 50 Prozent der Platinenfläche einspart. Die neuen 30-V-N-Kanal-MOSFETs sind auf Leistungsfähigkeit in Spannungswandlern für Gleichstrom und Netzgeräten optimiert. In Notebooks, Servern, Telekommunikationsgeräten und PC-Motherboards bieten sie einen deutlich höheren Wirkungsgrad als bisher verfügbare Spannungswandler. Auch die Verlustleistung ist um bis zu 20 Prozent gesunken.

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