AMD mit neuartiger Transistorentwicklung


Erschienen: 19.09.2003, 06:30 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Forscher von AMD haben auf der International Conference on Solid State Devices and Materials in Tokio Einzelheiten einer neuen Triple-Gate Transistorentwicklung präsentiert, die auf Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) sowie auf die Metal-Gate-Technologie zurückgreift. AMD´s Transistorentwicklung erzielt gegenüber bisher veröffentlichten Forschungen an Multi-Gate-Transistoren eine um bis zu 50 Prozent höhere Leistung und übertrifft damit die von der (ITRS) für 2009 definierten Anforderungen. AMD geht von einer Serienproduktion ab 2007 aus.

"Bei AMD´s neuster Entwicklung ist ein einzigartiger, ultradünner und in Fully Depleted Silicon-on-Insulator-Technologie (FDSOI) realisierter elektrischer Pfad an drei Seiten von Metal-Gates aus Nickel-Silicide umgeben. Diese Kombination aus FDSOITechnologie und Nickel-Silicide Metal-Gates sorgt für eine Streckung des Siliziumgitters innerhalb des elektrischen Pfads und verbessert so die Mobilität der Ladungsträger..."

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