Intel präsentiert ersten 90 nm NOR-Flash-Speicher


Erschienen: 20.02.2004, 06:30 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Intel kündigt im Rahmen des Intel Developer Forums (IDF) den ersten NOR-Flash-Speicher mit 90 Nanometer (nm) Strukturbreite an. Das neue Wireless Flash Memory ist die 5. Generation von Intel Flash-Speichern, die speziell auf die Anforderungen drahtloser Endgeräte zugeschnitten sind. Intel kombiniert die Flash-Speicher mit variablen RAM-Optionen und erreicht dabei Speicherdichten von bis zu 1 GBit in einer Größe von nur 8 x 11 mm.

Erste Wireless Memory Flash-Speicher auf Basis der 0,09 µm Fertigungstechnologie verfügen über 64 MBit Speicherdichte und sind ab April in Mustern verfügbar. Die Serienproduktion wird im dritten Quartal 2004 beginnen.

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