IDF: Infineon demonstriert erste FB-DIMM Module


Erschienen: 02.03.2005, 07:00 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Infineon gab auf dem Intel Developer Forum in San Francisco (1. bis 3. März 2005) bekannt, dass Muster seiner FB-DIMMs (Fully-Buffered Dual Inline Memory Modules) erstmals den Boot-Prozess in aktuellen Server-Systemen absolviert haben. Mit dieser Demonstration auf Plattformen mit Intel-Server-Chipsätzen der nächsten Generation, setzt Infineon einen wichtigen Meilenstein.

FB-DIMMs, die ab 2006 die bisherigen Registered-DIMMs in High-End-Systemen ersetzen sollen, sind JEDEC-kompatible Module, die in Hinblick auf schnelle Datenübertragungsraten und hohe Speicherdichten entwickelt wurden. Die FB-DIMM-Architektur basiert auf einer neuen Schaltungsarchitektur für leistungsstarke Speicherverbindungen. Ein Advanced-Memory-Buffer-Chip (AMB) auf dem Modul sorgt für eine schnellere Speichergeschwindigkeit und erlaubt höhere Speicherkapazitäten je Modul. Damit wird die Basis für zukünftige Generationen leistungsfähiger, auf DDR2 und DDR3 DRAM-Chips basierender Module geschaffen.

Die Entwicklungsmuster der FB-DIMMs, die Infineon in seinen derzeitigen Demonstrationssystemen einsetzt, sind 512 MB DDR2 und 1 GB DDR2-Module mit Datenübertragungsraten von 533 Mbit/sec und 677 Mbit/sec. Erste Qualifikationsmuster der FB-DIMMs sollen bis Mitte 2005 zur Verfügung zu stehen. Erste Lieferungen sind für Ende 2005 vorgesehen.

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