Intel zeigt erste funktionsfähige 45 nm SRAM-Chips


Erschienen: 26.01.2006, 12:00 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Intel hat einen wichtigen Meilenstein in der Entwicklung der nächsten Generation seiner Halbleiterfertigung erreicht, so das Unternehmen in seiner heutigen Pressemeldung. Intel ist gelungen, voll funktionsfähige SRAM (Static Random Access Memory) Chips unter Verwendung der 45 nm Prozesstechnologie anzufertigen. Für Intel bedeutet dieser Erfolg, dass sich das Unternehmen auf dem richtigen Weg zur Herstellung von Chips mit der 45 nm Herstellungstechnik auf 300 mm Wafern in 2007 befindet.

Die Einführung einer neuen Prozessgeneration im Turnus von zwei Jahren unterstreicht darüber hinaus den Fokus des Unternehmens, die Chipentwicklung im Rahmen des Mooreschen Gesetzes weiter voranzutreiben.

"Wir sind nicht nur das erste Unternehmen, das die 65 nm Herstellungstechnologie in der Massenproduktion eingesetzt hat, sondern können auch als erstes Unternehmen funktionsfähige 45 nm Chips präsentieren. Das zeigt sehr deutlich die Vorreiterstellung von Intel in der Chipherstellung", so Bill Holt, Vice President und General Manger der Intel Technology and Manufacturing Group.

Mit dem 45 nm Herstellungsprozess lassen sich Chips anfertigen, die eine fünffach geringere Verlustleistung als heutige Chips aufweisen, so Intel weiter.

Zusätzlich zu den Fertigungsressourcen der D1D Fabrik in Oregon, wo die 45 nm Entwicklung bei Intel bereits im Gange ist, kündigte die Firma mit der Fab 32 in Arizona sowie der Fab 28 in Israel zwei weitere Fabriken für die Herstellung von Chips unter Verwendung der 45 nm Fertigungstechnologie an. Diese befinden sich derzeit im Aufbau.

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