Samsung präsentiert den Flash-Nachfolger PCRAM


Erschienen: 11.09.2006, 20:00 Uhr, Quelle: Pressetext, Autor: Patrick von Brunn

Hersteller Samsung hat heute offiziell bekannt gegeben, dass man den ersten funktionstüchtigen Prototypen eines PCRAM-Bausteins entwickelt habe. PCRAM (Phase Change Random Access Memory) soll innerhalb des nächsten Jahrzehnts die heutzutage in Rechner eingesetzten "High Density NOR Flash Chips" ersetzen. Beim vorgestellten Prototypen handelt es sich um einen 512 Megabit-Baustein.

PCRAM (oder PRAM) soll gegenüber NOR-Flash zahlreiche Vorteile aufweisen. Laut Samsung sei das Hauptargument für PCRAM die höhere Schreibgeschwindigkeit. Der Grund dafür liege darin, dass vor dem Schreibzugriff nicht erst größere Datenblöcke gelöscht werden müssten. Effektiv sei PCRAM 30 mal schneller als herkömmliche Flash-Speichersteine. Zudem erwartet Samsung eine etwa zehnfach höhere Zahl an Lese- und Schreibzyklen.

Für den Speicherproduzenten besonders interessant ist auch das Herstellungesverfahren. So benötigt PCRAM bei der Herstellung rund 20 Prozess-Schritte weniger als NOR-Flash und kommt zudem mit weniger Chip-Fläche aus. Im Vergleich zu den von Samsung hergestellten NOR-Flash-Zellen sollen PCRAM-Zellen nur halb so groß sein. Bereits in zwei Jahren sollen PCRAM-Bauteile NOR-Flash-Speicher allmählich ablösen. Die Massenfertigung der neuen Speichersteine soll "irgendwann 2008" beginnen, so Samsung.

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Kommentare (3)Zum Thread »

1) Thrawn (12.09.2006, 08:40 Uhr)
Die Geschwindigkeit der heutigen Speicherbausteine war aber kein Flaschenhals am PC. Somit wäre ja das Zeugs fürn PC nicht uuunbedingt ein Vorteil. Gut die Hälfte der Fläche und billigere Produktion, aber rein geschwindigkeitstechnisch...
2) patjaselm (12.09.2006, 09:04 Uhr)
10fache schreib-/lesezyklen - DAS hört sich mal gut an
3) Gast (12.09.2006, 22:23 Uhr)
nun lese ich hier die 3te Meldung zu diesem Thema und damit auch gleich den 3ten Namen für diese Neuerung! Wis soll dieser Speicher denn nun wirklich heißen?!?
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