Neue Samsung SSD 850 EVO mit 3-Bit 3D V-NAND Speicher


Erschienen: 12.12.2014, 12:45 Uhr, Quelle: Samsung PR – 08.12.2014, Autor: Patrick von Brunn

Mit der neuen SSD-Serie 850 EVO präsentiert Samsung ein Flash-Laufwerk, das dank der 3-Bit 3D Vertical NAND (V-NAND) Technologie für noch mehr Geschwindigkeit und Ausdauer sorgen soll. Anders als die im Juli vorgestellte 850 PRO SSD verfügt die neue SSD 850 EVO über 3-Bit-Speicherzellen. Das Laufwerk speichert also in jeder Zelle drei anstelle von zwei Bit – und damit auf dem gleichen Platz mehr Daten.

Zudem basiert der neue Flash-Speicher auf der von Samsung eigens entwickelten V-NAND Flash-Technologie: Statt flacher Zellstrukturen kommen hier zylindrische, mehrlagige Strukturen zum Einsatz. Dies resultiert nicht nur in einer höheren Speicherdichte, sondern erlaubt auch mehr Schreibzyklen über einen längeren Zeitraum und eine höhere Geschwindigkeit.

SSD 850 EVO

Die neue SSD-Serie ist mit Kapazitäten von 120, 250, 500 GB und 1 TB erhältlich. Die Laufwerke erzielen sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 540 Megabyte pro Sekunde (MB/s) und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 520 MB/s. Dank der Samsung TurboWrite Technologie beträgt die zufällige Schreibleistung bis zu 90.000 Input/Output-Operationen pro Sekunde (IOPS). Doch die neuen SSDs stehen nicht nur für hohe Geschwindigkeit, sondern auch für eine lange Haltbarkeit – etwa mit einer täglichen Arbeitsbelastung von bis zu 80 GB über einen Zeitraum von fünf Jahren bei dem 500 GB- und 1 TB-Modell.

Die neue SSD 850 EVO ist ab Mitte Dezember 2014 für 91,46 (120 GB), 137,20 (250 GB), 246,96 (500 GB) und 457,35 (1TB) Euro im Handel erhältlich.

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