Samsung startet Produktion von 20 nm 6 Gb LPDDR3 DRAM


Erschienen: 24.09.2014, 12:30 Uhr, Quelle: Samsung PR – 18.09.2014, Autor: Patrick von Brunn

Samsung hat mit der Massenproduktion seines 6 Gb (Gigabit) Low-Power Double Data Rate 3 (LPDDR3) Mobile DRAM in 20 nm Prozesstechnologie begonnen. Beim Einsatz des Mobile Memory Chips in Mobilgeräten mit größeren Displays lassen sich die Batterielaufzeit verlängern und Anwendungen schneller als bisher laden.

Für Samsungs 6 Gb LPDDR3 ist eine Pro-Pin Datenübertragungsrate von bis zu 2.133 Mbit/s spezifiziert. Ein 3 GB (Gigabyte) LPDDR3 Package mit vier 6 Gb LPDDR3 Chips kann auf einfache Weise für den Einsatz in einem breiten Spektrum an Mobilgeräten realisiert werden. Das neue 3 GB Package ist gegenüber dem derzeit verfügbaren 3 GB Package mit 6 Gb LPDDR3 Chips, gefertigt in Samsung bisheriger Prozesstechnologie, über 20 Prozent kleiner und verbraucht etwa zehn Prozent weniger Energie.

Mit dem neuen 20 nm Prozess von Samsung lässt sich, verglichen mit dem bisherigen Prozess, auch ein Produktivitätsgewinn von über 30 Prozent erzielen. Samsung hat seine 20 nm Technologie erstmals in der Branche im März für 4 Gb DDR3 für PCs eingesetzt. Nun hat das Unternehmen den Einsatz dieser Technologie auf seine Mobile DRAMs ausgedehnt.

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