Samsung startet Massenproduktion von 8 Gbit GDDR5-DRAM


Erschienen: 15.01.2015, 12:15 Uhr, Quelle: Samsung PR – 15.01.2015, Autor: Patrick von Brunn

Samsung hat mit der Massenproduktion des ersten 8 Gbit GDDR5 DRAMs in 20 nm Prozesstechnologie begonnen. GDDR5 gilt als das weltweit am häufigsten eingesetzte diskrete Grafik-Speicher.

Das neue GDDR5 DRAM arbeitet mit einer I/O-Datenrate von 8 Gigabit pro Sekunde (Gbps) pro Pin. Es ist somit über vier Mal schneller als heute in Notebooks weit verbreitetes DDR3 DRAM. Jeder Chip kann Daten mit einer I/O-Rate von 32 Bit verarbeiten. Zwei GB Grafik-Memory lassen sich mit lediglich zwei der neuen Chips aufbauen.

Mit dem neuen 20 nm 8 Gbit GDDR5 hat Samsung sein Angebot an 8 Gbit DRAM-Lösungen in seiner 20 nm Prozesstechnologie vervollständigt. Abgedeckt werden die Märkte Server, PCs, Mobile und Grafik-Memory. Der weltweit größte Speicherhersteller wird auch künftig die Produktionsstückzahlen seiner 20 nm DRAM-Produkte mit verschiedenen Kapazitäten einschließlich 4, 6 und 8 Gbit und mehr weiter erhöhen, um seine Führungsposition in High-End IT-Marktsegmenten sowie auf mehr High-End Märkten zu festigen.

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