Infineon bemustert als erstes Unternehmen 4 GB DDR2 Registered DIMMs (Dual Inline Memory Module) in Dual-Die-Technologie für Server. Das neue Modul ist mit achtzehn 2 GBit DDR2-Komponenten bestückt, die aus zwei übereinander gestapelten 1 GBit DDR2-SDRAMs bestehen. Durch die sogenannte Dual-Die-Technologie wird die Speicherdichte bei einer nur 0,1 mm höheren Komponente verdoppelt. Infineons 4 GB DDR2 Registered DIMMs sind mit 4,1 mm Moduldicke bei einer Standardhöhe von 30 mm um rund 40 Prozent dünner als vergleichbare Lösungen und übertreffen damit JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) Anforderungen bei gestapelten Lösungen.
Bei der Dual-Die-Technologie werden zwei identische Chips in einem BGA (Ball Grid Array) Gehäuse übereinander gestapelt. Im Gegensatz zu herkömmlichen Gehäusestapeltechnologien, bei denen zwei Chips in separaten Gehäusen gestapelt werden, erhöht Infineons Dual-Die-Technologie die Speicherdichte, bei nahezu unveränderten Gehäuseabmessungen und idealen elektrischen und thermischen Eigenschaften.
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