Infineon und Nanya starten 90 nm DRAM-Produktion


Erschienen: 02.06.2005, 13:00 Uhr, Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn

Infineon hat mit der Serienfertigung von DRAMs mit 90 nm Prozessstrukturen auf 300 mm Wafern im Halbleiterwerk in Dresden begonnen. Die 90 nm Technologie wurde gemeinsam mit Nanya im Dresdner Forschungszentrum von Infineon entwickelt. Erste Speicherprodukte wurden bereits erfolgreich von beiden Unternehmen bei Kunden qualifiziert und von Intel validiert. Infineon geht als weltweit zweiter DRAM-Hersteller mit 90 nm Technologie in Serienproduktion und hatte bereits Ende Mai 2005 etwa fünf Prozent der gesamten DRAM-Kapazitäten von 110 nm auf 90 nm umgestellt.

Die kleineren Chipstrukturen mit 90 nm erhöhen die Anzahl der Chips pro Wafer im Vergleich zur 110 nm Technologie um mehr als 30 Prozent. Die Produktivitätssteigerung durch die kleineren Chipstrukturen und der Einsatz von 300 mm Wafern führen zu einer wesentlichen Verringerung der Produktionskosten pro Chip. Die strategische Entwicklungspartnerschaft von Infineon und Nanya umfasst auch den nächsten Technologieschritt mit 70 nm Strukturen.

Neben den damit einhergehenden Kostenvorteilen ist der Übergang auf kleinere Prozessstrukturen die Voraussetzung für schnelle und Strom sparende DDR2- und DDR3-SDRAMs in einer zunehmend mobilen Welt. Nach erfolgreicher Validierung und Kundenqualifikation des ersten Produktes, einem 512 Mbit DDR-SDRAM, sind Infineon und Nanya die zweiten DRAM-Hersteller mit 90 nm Prozesstrukturen in Serienproduktion. Das Produkt-Portfolio soll in der zweiten Jahreshälfte 2005 mit einem 512 Mbit DDR2-SDRAM erweitert werden. Weitere Produkte, darunter auch 256 Mbit DDR2- und 1 Gbit DDR2-Speicher sind ebenfalls geplant.

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