IBM: 500 Gigahertz mit Silizium-Germanium-Chip erreicht


Erschienen: 21.06.2006, 16:00 Uhr, Quelle: pressetext, Autor: Patrick von Brunn

Das Georgia Institute of Technology und IBM haben bekannt gegeben, dass es ihren Forschern gelungen ist, den ersten Chip auf Silizium-Germanium(SiGe)-Basis herzustellen, der mit einer Taktfrequenz von über 500 Gigahertz läuft. Um diesen Geschwindigkeitsrekord zu erreichen, musste der Chip jedoch tiefgefroren werden. Die Spitzenwerte konnten nahe dem absoluten Nullpunkt bei 4,5 Grad Kelvin (etwa -268,5 Grad Celsius) gemessen werden.

Auf der Erde lassen sich so niedrige Temperaturen nur durch Kühlung mit flüssigem Helium erzeugen. Bei Raumtemperatur erreicht der Chip immerhin etwa 350 Gigahertz. Nach Computerberechnungen könnte die Taktung jedoch noch erheblich gesteigert werden. Rund ein Terahertz (1.000 Gigahertz) seien laut Simulation möglich, so IBM in einer Aussendung. Die Chips, die in diesem Forschungsprojekt eingesetzt werden, stammen von der Prototypen-SiGe-Technologie vierter Generation, und werden von IBM auf 200 mm Wafern gefertigt.

"Diese bahnbrechende gemeinsame Forschung definiert die Leistungsgrenze von Silizium-basierten Halbleitern neu", sagt Bernie Meyerson, Vice President und Chief Technologist der IBM Systems and Technology Group. Ultra-Hochfrequenz-Silizium-Germanium-Schaltkreise haben potenzielle Anwendungsbereiche in kommerziellen Kommunikationssystemen, Sicherheitselektronik, Weltraumforschung sowie in der Sensortechnik und künftig möglicherweise auch im Elektronik-Massenmarkt. Vor allem in der drahtlosen Kommunikation versprechen sich die IBM-Forscher viel. Vor wenigen Monaten haben sie einen Chipsatz entwickelt, der es elektronischen Geräten erlaubt zehn Mal schneller Daten zu senden und zu empfangen, als dies bisher mit WLAN möglich ist.

Silizium-Germanium-Technologie hat großes Interesse in der Elektronikindustrie hervorgerufen, weil sie substanzielle Verbesserungen in der Transistorleistung ermöglicht, während weiterhin konventionelle Fabrikationstechniken zum Einsatz kommen können, so das Unternehmen. Sie sind kompatibel mit den silizium-basierten Standard-Fertigungsprozessen, die hohe Stückzahlen ermöglichen. Durch den Einsatz von Germanium auf atomarer Ebene in Silizium-Wafern können die Ingenieure die Leistung daher dramatisch steigern und gleichzeitig die vielen Vorteile von Silizium weiter nützen.

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Kommentare (7)Zum Thread »

1) Bastus (21.06.2006, 16:02 Uhr)
Schon mal eins Vorweg bevor ne rießen Diskussion auch hier anfängt.
Es ist nur ein Chip, keine CPU!
2) Gast (21.06.2006, 16:40 Uhr)
und wo ist der Unterschied? (ehrlich gemeinte Frage Augenzwinkern )
3) Bastus (21.06.2006, 16:48 Uhr)
Ein bipolarer Leistungstransistor, also einfach gesagt sowas wien Transistor.
4) Babe (21.06.2006, 16:50 Uhr)
Zitat:
Original von Gast
und wo ist der Unterschied? (ehrlich gemeinte Frage Augenzwinkern )

Eine CPU wie wir sie von AMD, Intel und Co. kennen ist wesentlich komplexer. Solch ein Chip wie IBM ihn oben getestet hat ist beispielsweise bei der Übertragung von Daten im hohen Frequenzbereich seine Aufgabengebiete.
5) Gast (21.06.2006, 17:37 Uhr)
Diese Geschwindigkeit läßt sich nicht auf eine CPU übertragen. Schon bei den jetzigen CPUs gibt es Probleme mit der Signal-Laufzeit. Bei 300GHz beträgt der Signalweg nur noch 1 mm pro Taktimpuls. Da gibt es nur noch eine Lösung: Die CPU muß drastisch verkleinert werden. In der Praxis geht der Trend aber gerade andersrum, mit immer mehr Befehlen werden die Dinger ständig weiter aufgeblasen.
6) Gast (21.06.2006, 20:01 Uhr)
trotzdem geil, 500 gigahertz lol lachen lachen
7) Gast (26.06.2006, 20:10 Uhr)
schon mal an den preis gedacht ? xD
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