Samsung schließt Entwicklung erster 30 nm DDR4-Chips ab


Erschienen: 05.01.2011, 14:15 Uhr, Quelle: Samsung - 04.01.2011, Autor: Patrick von Brunn

Hersteller Samsung gab am gestrigen Dienstag bekannt, dass man die Entwicklungsarbeiten an ersten 30 nm DDR4-DRAM-Chips erfolgreich abgeschlossen hat. Die neuen DDR4-DRAMs arbeiten mit Geschwindigkeiten von bis zu 2,133 Gbps bei einer Spannung von 1,2 Volt. Im direkten Vergleich dazu erreicht DDR3-DRAM lediglich bis zu maximal 1,6 Gbps bei einer Versorgung von 1,35 bzw. 1,5 Volt. Vergangenen Dezember hat man bereits erste Muster eines 2 GB DDR4 Unbuffered DIMM-Modules an Entwicklungspartner verteilt. Für die zweite Hälfte 2011 plant Samsung die offizielle DDR4-Standardisierung durch die JEDEC.

« Vorherige News Nächste News »
Weitere Meldungen

Kommentar abgebenZum Thread »


Sicherheitsabfrage
Bitte übertragen Sie den Code in das Eingabefeld!