Kurz gesagt, ist der PMOS (P-Kanal Metal-Oxide Semiconductor) Transistor der momentan schnellste dokumentierte Transistor der Welt. Doch AMD´s Entwickler konnten nun im Labor die ersten Transistoren fertigen, die über 30 Prozent schneller als diese PMOS Transistoren sind, und auf der bekannten Silicon-On-Insulator (SOI) Technik basieren. Im kommenden Juni will AMD die Ergebnisse der neuen High-Performance
Transistoren offiziell präsentieren, und somit den Grundstein für kommende High-End Chips legen. Mehr Details in der beigefügten offiziellen Presseinfo von AMD Deutschland...
"Sunnyvale, 2. April 2003. Forscher von AMD (NYSE: AMD) haben als
erste in der Halbleiterbranche bedeutende Meilensteine in der
Entwicklung von Transistoren der nächsten Generation gesetzt.
In umfangreichen Laborarbeiten, deren Ergebnisse im Juni ausführlich
präsentiert werden, haben Forscher von AMD einen High-Performance
Transistor entwickelt und demonstriert, der bis zu 30% schneller ist als
der beste derzeit dokumentierte PMOS (P-Kanal Metal-Oxide
Semiconductor) Transistor. Der neue Transistor basiert auf proprietären
Technologien von AMD sowie auf der allgemein als Fully Depleted
Silicon-on-Insulator bezeichneten Technologie.
Im Zusammenhang mit diesen Laborarbeiten haben Forscher von AMD
auch den branchenweit ersten “Strained Silicon” Transistor demonstriert,
der aufgrund des erfolgreichen Einsatzes von Metall-Gates gegenüber
herkömmlichen “Strained Silicon” Komponenten eine 20 bis 25% höhere
Performance erzielt.
Diese Erfolge sind wichtige Meilensteine in AMDs ehrgeiziger
Prozesstechnologie-Roadmap und gelten als Grundlage für das Design
künftiger Mikroprozessoren, mit denen sich Kundenwünsche noch
besser erfüllen lassen.
“Dank unserer Spitzenposition bei der Entwicklung von Transistoren, die
mit höherer Performance arbeiten und mit geringeren Leckströmen
sowie mit niedrigeren Versorgungsspannungen auskommen, können wir
unseren Designteams genau die Bausteine zur Verfügung stellen, mit
denen sich die von unseren Kunden geforderten Lösungen realisieren
lassen”, so Craig Sander, Vice President of Process Technology
Development bei AMD.
“Gute Designs beginnen mit der Verfügbarkeit der richtigen Werkzeuge
und Materialien,” ergänzt Fred Weber, Vice President und Chief
Technical Officer bei AMD’s Computational Products Group. Weber
weiter: “Fortschrittliche Forschungsarbeiten wie diese sind genau das,
was wir letztendlich zur Bereitstellung von Funktionalitäten der
Spitzenklasse und für die eleganten Architekturlösungen benötigen, die
unsere Kunden von uns erwarten.”
Die jüngsten Forschungserfolge von AMD dürften erwartungsgemäß in
der zweiten Hälfte der Dekade eine wichtige Rolle bei der Herstellung
von Halbleitern einnehmen. Beide Forschungsergebnisse werden
erstmals auf dem diesjährigen VLSI Symposium (11. und 12. Juni) in
Kyoto, Japan, präsentiert. Weitere Informationen gibt es auf der VLSI
WebSite unter http://www.vlsisymposium.org/"
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