NEWS / Transistoren: Polymer als Konkurrenz zu Silizium

Einen sehr entscheidenden Durchbruch bei der Herstellung von Plastiktransistoren melden Wissenschaftler der TU Ilmenau, des Instituts für Festkörper- und Werkstoffforschung (IFW) Dresden sowie des California Institute of Technology (Caltech). Durch Unterätzen konnten die Forscher erstmals Kanallängen von weniger als 1 Mikrometer erreichen, berichtet die Computerwelt.

Bei dem neuen Prozess wird zunächst eine 50 Nanometer dicke Goldschicht aufgedampft und photolithographisch grob vorstrukturiert. Dann wird geätzt und erneut beschichtet. Nach dem Entfernen bleiben schmale Kanäle in der Goldschicht zurück, die mit einem leitfähigen Polymer gefüllt werden und den Transistor bilden.

Aus Sicht der Forscher eröffnet sich nun die Perspektive zur Herstellung anwendungsfähiger All-Polymer-Schaltkreise. Für diese entfallen gegenüber der Silizium-Technik die drei teuren Prozesse der Wafer-Fertigung, hoch auflösende Lithographie sowie sämtliche Hochtemperaturprozesse. Noch zu lösende Probleme seien nun der Übergang zu einem dünnen Isolator sowie die Reduzierung von parasitären Kapazitäten.