NEWS / AMD setzt auf neuen Cache-Speicher: Z-RAM statt SRAM
23.01.2006 12:00 Uhr    0 Kommentare

Laut einem Bericht von EETimes.com hat das Unternehmen AMD jüngst einen Vertrag mit Innovative Silicon Inc. abgeschlossen. Dieser Beschluss beinhaltet die Lizenzierung der SOI-basierten (Silicon on Insulator) Z-RAM Technologie (zero capacitor), welche in künftigen AMD-Prozessoren zum Einsatz kommen soll. Diese neuartige Speichertechnologie von ISi bietet nach Angaben des Entwicklers die 5-fache Dichte von herkömmlichem SRAM-Speicher (Static Random Access Memory) und soll auch DRAM (Dynamic Random Access Memory) um den Faktor 2 in Sachen Dichte übertreffen.

"The dramatic increase in density offered by ISi´s Z-RAM embedded memory can enable much larger on-chip microprocessor cache memories resulting in improved performance and reduced I/O power consumption."

Herkömmliche SRAM-Zellen benötigen zur Speicherung von Informationen Kondensatoren, welche wiederum zusätzliche Transistoren erfordern. Bei Z-RAM sollen diese zusätzlichen Kondensatoren entfallen: Es wird die oberste Schicht der SOI-Struktur bzw. deren Eigenkapazität für die Speicherung genutzt. Dadurch sinken die Ausmaße entsprechender Speicherzellen und ermöglichen die höhere Speicherdichte, ebenso die fallende I/O-Spannung.

Da AMD bei der Chip-Fertigung bereits seit einigen Prozessor-Generationen auf SOI setzt, sollte die Implementierung von Z-RAM in kommende AMD-Produkte mühelos möglich sein - ein Vorteil gegenüber Konkurrent Intel. Einen genauen Zeitplan für Z-RAM-basierte Mikroprozessoren hat man jedoch noch nicht genannt.

Quelle: ComputerBase, Autor: Patrick von Brunn

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