NEWS / Chip von Infineon steigert Energieeffizienz in Netzteilen
24.10.2006 13:00 Uhr    0 Kommentare

Infineon hat heute ein Produkt vorgestellt, mit dem die Energieeffizienz von Netzteilen erneut gesteigert wird, so das Unternehmen in seiner Pressemitteilung. Ein Großteil der weltweiten Energie fließt heute durch Netzteile in elektrischen Geräten wie Computer, Fernseher oder Unterhaltungselektronik. Genau hier kommt der neue OptiMOS 3 zum Einsatz, der die Leistung vieler heutiger elektronischer Bauteile in den Schatten stellen soll. Ein Drittel weniger Bauteile, bis zu zwei Drittel weniger Platzbedarf im Netzteil und ein um ein Drittel niedrigerer Durchlassverlust sind die Eigenschaften. Nach Berechnungen von Infineon könnte ein 360 Megawatt-Kraftwerk eingespart werden, wenn allein in allen Server-Stromversorgungssystemen des weltweiten Internets der OptiMOS 3 für den richtigen Wirkungsgrad sorgen würde.

"Ich begrüße den vor wenigen Tagen vorgestellten Aktionsplan der Europäischen Kommission für mehr Energieeffizienz, denn er ist ein wichtiger Schritt zur Bewältigung der enormen energiepolitischen Herausforderungen, denen sich Europa gegenübersieht", sagte Dr. Wolfgang Ziebart, Vorstandsvorsitzender von Infineon. "Mit unseren innovativen Halbleitern leisten wir einen wesentlichen Beitrag zur Steigerung der Energieeffizienz und zur Schonung knapper werdender Ressourcen."

Der Plan der Europäischen Kommission nennt eine Reihe von Maßnahmen, die ein breites Spektrum kosteneffizienter Initiativen für größere Energieeffizienz umfassen. Dazu gehören Maßnahmen, durch die Energie verbrauchende Geräte, Gebäude, der Verkehr und die Energiegewinnung effizienter gestaltet werden sollen. Infineon ist mit seinen Produkten in der gesamten Wertschöpfungskette von der Erzeugung über die Verteilung bis zur effizienten Nutzung elektrischer Energien vertreten.

Über OptiMOS 3

Mit der OptiMOS 3-Technologie lassen sich DC/DC-Stromversorgungen bei gleicher Ausgangsleistung mit bis zu einem Drittel weniger MOSFET-Komponenten realisieren. Infineon bietet für die OptiMOS 3-Bausteine ein neues S3O8 (Shrink SuperSO8)-Gehäuse an, das mit Abmessungen von nur 3 x 3 mm in einem Spannungswandler-Design bis zu 60 Prozent Boardfläche für die MOSFETs einspart. Die N-Kanal OptiMOS 3-Prozesstechnologie ermöglicht Bauelemente mit dem industrieweit geringsten Durchlasswiderstand (RDS(on)) bezogen auf die Siliziumfläche und außerordentlich geringer Gate-Ladung. Der leistungsfähigste OptiMOS 3 in einem SuperSO8-Gehäuse bietet einen maximalen Durchlasswiderstand (RDS(on)) von 1,6 Milliohm. Dieser sehr geringe Durchlasswiderstand führt zu geringeren Leitungsverlusten bzw. reduzierter Leistungsaufnahme beim Einschalten. Damit werden höhere Leistungsdichten möglich.

Durch die geringe Gate-Ladung lassen sich die OptiMOS 3-Bausteine einfacher treiben, so dass kostengünstigere Treiberbausteine eingesetzt werden können. Darüber hinaus führt die verbesserte FOM (Figure Of Merit) zu einer Reduzierung der Treiberlast um 30 Prozent. Verglichen mit dem nächstbesten Wettbewerbsprodukt wird damit die Betriebstemperatur des Treibers bei 400 kHz Schaltfrequenz um fast 10°C gesenkt, was weniger Verlustwärme bedeutet.

Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn
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