Hersteller Samsung hat heute offiziell bekannt gegeben, dass man den ersten funktionstüchtigen Prototypen eines PCRAM-Bausteins entwickelt habe. PCRAM (Phase Change Random Access Memory) soll innerhalb des nächsten Jahrzehnts die heutzutage in Rechner eingesetzten "High Density NOR Flash Chips" ersetzen. Beim vorgestellten Prototypen handelt es sich um einen 512 Megabit-Baustein.

PCRAM (oder PRAM) soll gegenüber NOR-Flash zahlreiche Vorteile aufweisen. Laut Samsung sei das Hauptargument für PCRAM die höhere Schreibgeschwindigkeit. Der Grund dafür liege darin, dass vor dem Schreibzugriff nicht erst größere Datenblöcke gelöscht werden müssten. Effektiv sei PCRAM 30 mal schneller als herkömmliche Flash-Speichersteine. Zudem erwartet Samsung eine etwa zehnfach höhere Zahl an Lese- und Schreibzyklen.

Für den Speicherproduzenten besonders interessant ist auch das Herstellungesverfahren. So benötigt PCRAM bei der Herstellung rund 20 Prozess-Schritte weniger als NOR-Flash und kommt zudem mit weniger Chip-Fläche aus. Im Vergleich zu den von Samsung hergestellten NOR-Flash-Zellen sollen PCRAM-Zellen nur halb so groß sein. Bereits in zwei Jahren sollen PCRAM-Bauteile NOR-Flash-Speicher allmählich ablösen. Die Massenfertigung der neuen Speichersteine soll "irgendwann 2008" beginnen, so Samsung.