NEWS / Intel mit Details zu 45 nm und dem Penryn-Kern
30.01.2007 07:00 Uhr    0 Kommentare

Intel gab gestern den größten Durchbruch im Transistordesign in den letzten 40 Jahren bekannt. So nutzt das Unternehmen neue Materialien für den Aufbau der Isolierschichten und der für die Schaltvorgänge zuständigen Gates in ihren 45 nm Transistoren. Hunderte von Millionen dieser Transistoren werden in der nächsten Generation der Core 2 Duo, Core 2 Quad und Xeon Multi-Core-Prozessoren arbeiten. Über fünf lauffähige Vorversionen von Produkten verfügt Intel bereits - die ersten von insgesamt fünfzehn geplanten 45 nm Prozessoren.

Intel geht davon aus, dass es mit den ersten funktionsfähigen 45 nm Prozessoren der nächsten Generation (Codename: Penryn) seine Stellung als Technologieführer der Halbleiterindustrie weiter ausgebaut und den Führungsabstand von mehr als einem Jahr manifestiert hat, so Intel. Der Beginn der 45 nm Produktion ist für die zweite Jahreshälfte vorgesehen.

Als erster Hersteller implementiert Intel eine Kombination neuer Materialien, die Transistor-Leckströme drastisch reduziert und die Lesitung der 45 nm Prozesstechnologie verbessert. Das Unternehmen wird für die Isolatorschicht der Transistor-Gates ein neues Material mit hohem k-Wert (high-k) und für die Transistor-Gate-Elektrode eine neuartige Kombination metallischer Materialien verwenden. Das Gate schaltet den Transistor ein und aus, während das darunter liegende Gate-Dielektrikum ihn als Isolationsschicht von dem Strom führenden Kanal trennt. Die Kombination aus metallischen Gates und high-k Gate-Dielektrikum führt zu Transistoren mit sehr geringem Leckstrom und hoher Rechenleistung. Da immer mehr Transistoren auf ein einziges Stück Silizium gepackt werden, suchen die Hersteller nach Möglichkeiten zur Verringerung des Leckstroms. Mit der Implementierung von neuartigen high-k und Metall-Gate Transistoren für die 45 nm Prozesstechnologie werden noch schnellere und zugleich energieeffizientere Multi-Core-Produkte möglich.

Seit über 40 Jahren wurde bei der Fertigung des Gate-Dielektrikums von Transistoren Siliziumdioxid verwendet. Um bei der ständigen Leistungssteigerung bei Transistoren mitzuhalten, verringerte man seine Schichtstärke immer weiter. Bei der bisherigen 65 nm Prozesstechnik ist das Gate-Dielektrikum aus Siliziumdioxid nur 1,2 nm stark, was etwa fünf Atomlagen entspricht. Allerdings nehmen bei dieser geringen Stärke die elektrischen Leckströme durch das Gate-Dielektrikum zu, was zu unnötigem Stromverbrauch und unerwünschter Wärmeentwicklung führt. Bei Intel kommt deshalb bei der 45 nm Prozesstechnologie ein dickeres, auf Hafnium basierendes high-k Material im Gate-Dielektrikum zum Einsatz. Dies reduziert die Leckströme im Vergleich zu Siliziumdioxid auf weniger als ein Zehntel. Weil das high-k Gate-Dielektrikum nicht mit der derzeitigen Gate-Elektrode aus Silizium kompatibel ist, besteht die zweite Zutat in Intels Materialrezept für 45 nm Tansistoren aus einer neuen Kombination unterschiedlicher metallischer Materialen.

Die Penryn Prozessorfamilie markiert den nächsten Schritt in der Abfolge von Prozesstechnologien und Mikroarchitekturen, die Intel in jedem Jahr hervorbringt. Die ersten funktionsfähigen Penryn-Prozessoren sind bereits entwickelt. Intel hat insgesamt mehr als 15 Produkte auf Grundlage der 45 nm Technik in Entwicklung, die für Desktop, Mobile, Workstation und Enterprise-Lösungen bestimmt sind. Mit über 400 Millionen Transistoren in Dual-Core Prozessoren und über 800 Millionen in Prozessoren mit vier Kernen verfügt die Penryn-Familie über neue Architekturmerkmale, die eine höhere Performance, eine optimierte Energieverwaltung, schnellere Taktraten im Prozessorkern und bis zu 12 Megabytes Cache-Speicher ermöglichen. Mit den Designs halten auch rund 50 neue Intel SSE4 Instruktionen Einzug.

Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn
KFA2 RTX 3070 Ti SG (1-Click OC) im Test
KFA2 RTX 3070 Ti SG (1-Click OC) im Test
KFA2 GeForce RTX 3070 Ti SG

Auf der diesjährigen Computex präsentierte Nvidia zwei neue Ti-Versionen im GeForce-RTX-3000-Lineup. Dazu gehört auch die neue GeForce RTX 3070 Ti, die wir heute in Form der KFA2 Serious Gaming (1-Click OC) Karte im Test haben.

Toshiba N300 NAS Systems HDD 16 TB Test
Toshiba N300 NAS Systems HDD 16 TB Test
Toshiba N300 NAS HDD 16 TB

Mit der N300 bietet Toshiba eine Festplatten-Familie speziell für den Einsatz in NAS-Systemen an. Wir haben uns das 16-TB-Modell im Test genau angesehen und unter anderem mit der 14-TB-Version der N300 verglichen.

Intel Core i9-11900K und i5-11600K im Test
Intel Core i9-11900K und i5-11600K im Test
Core i9-11900K und i5-11600K

Mit Rocket Lake-S schickt Intel seine 11. Core-Generation ins Rennen und stattet die Serien i5, i7 und i9 mit neuen Modellen aus. Wir haben uns den Intel Core i9-11900K und den kleineren i5-11600K im Praxistest genau angesehen.

Seagate One Touch SSD 1 TB mit USB-C
Seagate One Touch SSD 1 TB mit USB-C
Seagate One Touch SSD 1 TB

Hersteller Seagate hat seine One Touch SSD-Familie aufpoliert und mit einem USB-C-Interface versehen. Außerdem bieten die Drives ein neues Äußeres und höhere Übertragungsraten von mehr als 1 GB/s. Mehr dazu in unserem Test.