Green DRAM: Samsung kündigt 30 nm DDR3-Speicher an


Erschienen: 03.02.2010, 00:30 Uhr, Quelle: Hardware-Mag, Autor: Patrick von Brunn

Samsung Electronics gibt bekannt, dass sein erster 2 Gigabit DRAM in 30 nm-Technologie die Evaluierung bei Kunden mit Erfolg bestanden hat. DDR3-SDRAM wird sich bereits im laufenden Quartal zum industrieweit bevorzugten Hauptspeicher entwickeln, so Samsung über den Speicher. Vor diesem Hintergrund wird Samsung durch die Weiterentwicklung seiner Prozesstechnologie die Produktivität weiter steigern und die Verbreitung von 1,5 und 1,35 Volt DDR3-Speicher für Server, Desktop-PCs und Notebooks beschleunigen. Durch den Einsatz des 30 nm-Prozesses in der Massenproduktion von DDR3-Speichern lässt sich die Produktivität gegenüber der 40 nm-Prozesstechnologie um 60 Prozent steigern. Verglichen mit DRAMs, die in 50 bzw. 60 nm-Technologien gefertigt werden, ergibt sich beim 30 nm-Prozess eine doppelt so hohe Kosteneffizienz.

Das in 30 nm-Technologie hergestellte 2Gb "Green DRAM" reduziert den Stromverbrauch um bis zu 30 Prozent gegenüber 50 nm-Modellen. Ein 4 Gigabyte Modul mit 30 nm-Technologie verbraucht in einem Notebook der neuesten Generation nur 3W pro Stunde. Dies entspricht in etwa nur 3 Prozent des gesamten Leistungsverbrauchs eines Notebooks. Die neuen DDR3-Speicher werden in einem breiten Produktspektrum eingesetzt, angefangen bei Servern und Notebooks über Desktop-PCs bis hin zu kommenden Versionen von Netbooks und Mobilgeräten. Die Massenproduktion soll in der zweiten Jahreshälfte beginnen.

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