NEWS / Samsung schließt Entwicklung erster 30 nm DDR4-Chips ab

05.01.2011 14:15 Uhr    Kommentare

Hersteller Samsung gab am gestrigen Dienstag bekannt, dass man die Entwicklungsarbeiten an ersten 30 nm DDR4-DRAM-Chips erfolgreich abgeschlossen hat. Die neuen DDR4-DRAMs arbeiten mit Geschwindigkeiten von bis zu 2,133 Gbps bei einer Spannung von 1,2 Volt. Im direkten Vergleich dazu erreicht DDR3-DRAM lediglich bis zu maximal 1,6 Gbps bei einer Versorgung von 1,35 bzw. 1,5 Volt. Vergangenen Dezember hat man bereits erste Muster eines 2 GB DDR4 Unbuffered DIMM-Modules an Entwicklungspartner verteilt. Für die zweite Hälfte 2011 plant Samsung die offizielle DDR4-Standardisierung durch die JEDEC.

Quelle: Samsung - 04.01.2011, Autor: Patrick von Brunn
Samsung EVO Plus 2024 microSDXC 128 GB
Samsung EVO Plus 2024 microSDXC 128 GB
Samsung EVO Plus 128 GB

Samsung hat seine EVO Plus microSDXC-Speicherkarte neu aufgelegt. Wir haben uns die UHS-I U3 Karte mit A2-Klassifizierung mit 128 GB im Test angesehen und mit anderen Probanden verglichen.

TEAMGROUP T-FORCE DELTA RGB DDR5-6000
TEAMGROUP T-FORCE DELTA RGB DDR5-6000
DELTA RGB DDR5-6000

Mit dem T-FORCE DELTA RGB bietet TEAMGROUP eine Familie von extravaganten DDR5-DIMMs an. Wir haben ein 32 KB Kit mit zwei 6.000 MHz Modulen in einem Praxistest genau unter die Lupe genommen.

AMD Ryzen 5 8600G Desktop-CPU im Test
AMD Ryzen 5 8600G Desktop-CPU im Test
AMD Ryzen 5 8600G

Mit dem Ryzen 5 8600G haben wir heute einen Desktop-Prozessor im Test, der inklusive Grafikeinheit kommt. Integriert in den Prozessor ist eine iGPU vom Typ Radeon 760M. Mehr zur AM5-CPU in unserem Test.

FlexiSpot E8 Schreibtisch im Test
FlexiSpot E8 Schreibtisch im Test
FlexiSpot Desk E8

Das E8 Tischgestell bietet Stabilität und Tragkraft mit einer erweiterten Höhenverstellung über einen großen Bereich und ist dank des einstellbaren Rahmens sehr flexibel. Wir haben in der Praxis einen Blick darauf geworfen.