Samsung hat mit der Massenproduktion der ersten 10-nm-Class DDR4-DRAMs der zweiten Generation mit Kapazitäten von 8 Gigabit begonnen. 10-nm-Class bezeichnet einen Prozesstechnologienode zwischen 10 und 19 nm. Samsung hat sein erstes DRAM-Produkt auf Basis eines 10-nm-Class-Prozesses bereits im Februar 2016 herausgebracht. Die neuen 8 Gb DDR4 DRAMs sind für Computersysteme der nächsten Generation konzipiert.
Samsungs zweiten Generation erreicht gegenüber dem 10-nm-Class 8 Gb DDR4 der ersten Generation einen etwa 30 Prozent höheren Produktionsgewinn. Darüber hinaus wurden das Leistungsniveau sowie die Energieeffizienz des neuen DRAM um etwa 10 bzw. 15 Prozent gesteigert. Das neue 8 Gb DDR4 DRAM kann mit 3.600 Mbit/s pro Pin arbeiten; Samsungs 8 Gb DDR4 DRAM der ersten Generation erreicht 3.200 Mbit/s. Das neue 10-nm-Class DRAM nutzt ferner einen einzigartigen „Air Spacer“, der um die Bit-Leitungen platziert ist, um parasitäre Kapazitäten wesentlich zu reduzieren. Der Einsatz des „Air Spacer“ ermöglicht nicht nur ein höheres Maß an Skalierbarkeit, sondern auch schnelle Zellenoperationen.
Mit diesen Fortschritten beschleunigt Samsung nun seine Pläne für noch schnellere Markteinführungen von DRAM-Chips und Systemen der nächsten Generation, darunter DDR5, HBM3, LPDDR5 und GDDR6, für den Einsatz in Enterprise Servern, Mobilgeräten, Supercomputern, HPC-Systemen und Grafikkarten.
