Samsung hat mit der Massenproduktion der ersten 10-nm-Class DDR4-DRAMs der zweiten Generation mit Kapazitäten von 8 Gigabit begonnen. 10-nm-Class bezeichnet einen Prozesstechnologienode zwischen 10 und 19 nm. Samsung hat sein erstes DRAM-Produkt auf Basis eines 10-nm-Class-Prozesses bereits im Februar 2016 herausgebracht. Die neuen 8 Gb DDR4 DRAMs sind für Computersysteme der nächsten Generation konzipiert.

Samsungs zweiten Generation erreicht gegenüber dem 10-nm-Class 8 Gb DDR4 der ersten Generation einen etwa 30 Prozent höheren Produktionsgewinn. Darüber hinaus wurden das Leistungsniveau sowie die Energieeffizienz des neuen DRAM um etwa 10 bzw. 15 Prozent gesteigert. Das neue 8 Gb DDR4 DRAM kann mit 3.600 Mbit/s pro Pin arbeiten; Samsungs 8 Gb DDR4 DRAM der ersten Generation erreicht 3.200 Mbit/s. Das neue 10-nm-Class DRAM nutzt ferner einen einzigartigen „Air Spacer“, der um die Bit-Leitungen platziert ist, um parasitäre Kapazitäten wesentlich zu reduzieren. Der Einsatz des „Air Spacer“ ermöglicht nicht nur ein höheres Maß an Skalierbarkeit, sondern auch schnelle Zellenoperationen.

10-Nanometer-Class-DRAMs der zweiten Generation

Mit diesen Fortschritten beschleunigt Samsung nun seine Pläne für noch schnellere Markteinführungen von DRAM-Chips und Systemen der nächsten Generation, darunter DDR5, HBM3, LPDDR5 und GDDR6, für den Einsatz in Enterprise Servern, Mobilgeräten, Supercomputern, HPC-Systemen und Grafikkarten.