Samsung Electronics erweitert seine strategische Foundry-Zusammenarbeit mit ARM auf 7/5-Nanometer-FinFET-Prozesstechnologie, um im HPC-Zeitalter (High-Performance-Computing) auch künftig einen Schritt voraus zu bleiben.
Basierend auf den 7LPP- (7nm Low Power Plus) und 5LPE- (5nm Low Power Early) Prozesstechnologien von Samsung Foundry wird die ARM Artisan Physical-IP-Plattform dem Cortex-A76-Prozessor von ARM eine Rechenleistung von über 3 GHz ermöglichen. Samsungs 7LPP-Prozesstechnologie soll planmäßig in der zweiten Jahreshälfte 2018 für die Erstproduktion bereit sein. Die erste EUV-Lithografie-Prozesstechnik (Extreme Ultra Violet) und deren Schlüssel-IPs befinden sich in der Entwicklung und sollen voraussichtlich in der ersten Jahreshälfte 2019 fertig sein. Die 5LPE-Technologie von Samsung erlaubt eine größere Flächenskalierung und bietet eine geringere Leistungsaufnahme (Ultra-Low Power). Beide Eigenschaften resultieren aus den jüngsten Innovationen bei der 7LPP-Prozesstechnologie.
Die Artisan Physical-IP-Plattform für Samsungs 7LPP- und 5LPE-Prozesstechnologien beinhaltet HD-Logikarchitektur, ein umfassendes Paket an Memory Compilern sowie 1,8- und 3,3-V-GPIO-Bibliotheken. Zusätzlich zu Samsungs 7LPP- und 5LPE-Prozesstechnologien wird Artisan POP IP-Lösungen auf seinen jüngsten Prozessor-Cores mit ARM DynamIQ-Technologie anbieten. Bei der POP-IP-Lösung von ARM wird eine Core-Hardening-Beschleunigungstechnologie verwendet, um die besten ARM-Prozessor-Implementierungen und die kürzeste Time-to-Market zu ermöglichen.
Einzelheiten zu den vor kurzem erfolgten Updates der Roadmap von Samsung Foundry, von der 7nm-EUV-Entwicklung über 3GAAE (3nm Gate-All-Around Early) Technologie bis hin zu Design-Enablement-Lösungen wurden am 5. Juli auf dem Samsung Foundry Forum 2018 in Seoul, Korea, präsentiert.
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