Infineon wird die Kapazität seines großen Halbleiterwerks in Richmond (USA) erweitern. Dazu werden in einer ersten Phase Systeme für die Fertigung modernster DRAM-Chips auf 300 mm Wafern installiert, so dass die Produktion ab Anfang 2005 beginnen kann. Mit dem Erweiterungsprojekt im Wert von 1 Milliarde US-Dollar schafft Infineon die Voraussetzungen für künftige Produkte.
Nach Abschluss der ersten Expansionsphase können monatlich 25.000 Wafer-Starts in 300 mm Technologie an dem Standort erreicht werden. Im neuen 300 mm Produktionsmodul werden zunächst DRAM-Chips in 110 nm hergestellt, wobei eine schnelle Umstellung auf 90 nm Produkte geplant ist.
Wandmontierte Solarmodule sind eine effektive Alternative für Bereiche, in denen eine Dachmontage nicht möglich ist. Allerdings hängt eine gute Leistung...
Mit dem FRITZ!Mesh Set 2700 erweitert FRITZ! sein Mesh-Portfolio um ein Premium-Set, das vor allem große Wohnumgebungen mit schnellem Wi-Fi...
Intel hat heute seine neuen Core Series 3 Mobilprozessoren vorgestellt. Sie bieten preisbewussten Anwendern, Unternehmen und wichtigen Edge-Geräten fortschrittliche Leistung,...
Toshiba Electronics Europe präsentiert eine weitere Variante seiner portablen 2,5-Zoll-HDD1 Canvio Flex, die ein metallblaues Gehäuse besitzt. Mit der neuen...
Du willst ein Armband, das beim ersten Versuch richtig passt und bequem sitzt. Fang deshalb nicht bei Farbe oder Material...
Heute testen wir die mobile Klimaanlage Dreo AC516S, die für Räume von bis zu 40 m² geeignet ist. Das Gerät kann nicht nur kühlen, sondern beispielsweise auch die Luft entfeuchten. Mehr dazu im Test.
PNY bietet mit der CS3250 eine Familie von PCIe Gen5 SSDs an, die mit Speicherkapazitäten von bis zu 4 TB erhältlich sind. Die Drives erreichen bis zu 14.900 MB/s lesend. Wir haben das 1-TB-Modell getestet.