ad-banner

NEWS / Auch Infineon steigt auf 300 mm Wafer um

23.04.2004 06:30 Uhr

Infineon wird die Kapazität seines großen Halbleiterwerks in Richmond (USA) erweitern. Dazu werden in einer ersten Phase Systeme für die Fertigung modernster DRAM-Chips auf 300 mm Wafern installiert, so dass die Produktion ab Anfang 2005 beginnen kann. Mit dem Erweiterungsprojekt im Wert von 1 Milliarde US-Dollar schafft Infineon die Voraussetzungen für künftige Produkte.

Nach Abschluss der ersten Expansionsphase können monatlich 25.000 Wafer-Starts in 300 mm Technologie an dem Standort erreicht werden. Im neuen 300 mm Produktionsmodul werden zunächst DRAM-Chips in 110 nm hergestellt, wobei eine schnelle Umstellung auf 90 nm Produkte geplant ist.

Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn
TRENDnet TEG-S Desktop 10G Switch Test
TRENDnet TEG-S Desktop 10G Switch Test
TEG-S708

Der TEG-S Desktop 10G Switch ist ein unmanaged Gerät mit 8 schnellen 10G-Ports. Wir haben uns den TEG-S708 in einem Kurztest zur Brust genommen, Messungen durchgeführt und berichten nun darüber.

Kingston IronKey Locker+ 50 G2 64 GB Test
Kingston IronKey Locker+ 50 G2 64 GB Test
IronKey Locker+ 50 G2 64 GB

Der IronKey Locker+ 50 G2 von Kingston ist ein USB-Flashspeicher mit 256 Bit starker AES-HW-Verschlüsselung im XTS-Modus. Wir haben das 64-GB-Modell im Praxistest genauer begutachtet.