Infineon stellte eine 70 nm Prozesstechnologie für künftige DRAM-Generationen basierend auf Deep-Trench (DT) Zellen und 300 mm Wafern auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2004 in San Francisco (13. bis 15 Dezember) vor. Etwa 25 Prozent der weltweiten DRAM-Produktion werden derzeit mit Trench-Technologien gefertigt. Infineon präsentierte in dem Vortrag das komplette Integrationsschema und die wesentlichen technischen Merkmale des neuen Verfahrens, das sich durch die erstmalige Nutzung eines High-k-Dielektrikums in einem Trench-basierten DRAM-Fertigungsprozess auszeichnet. Die Ergebnisse des 70 nm Programms von Infineon stellen einen technologischen Durchbruch auf dem Weg zu noch kleineren Strukturbreiten in der Trench-Technologie dar.
Infineon erwartet von diesem technologischen Fortschritt in der 70 nm Prozesstechnologie eine Steigerung der Produktivität seiner DRAM-Fertigung auf 300 mm Wafern und damit eine Erhöhung seiner DRAM-Produktion. Durch kleinere Prozessstrukturen wird die Chipfläche um etwa 30 Prozent reduziert und dadurch die Chip-Ausbeute pro Wafer gesteigert. Gemäß den neusten Prognosen des Marktforschungsunternehmens Gartner Dataquest wird die weltweite DRAM-Nachfrage bezogen auf die Speicherkapazität von 2003 bis 2008 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate in Höhe von 51 Prozent steigen.
Die präsentierten Forschungsergebnisse beruhen auf der gemeinsamen Entwicklung der 90 nm und 70 nm DRAM-Fertigungstechnologien durch Infineon und Nanya im Rahmen der Infineon Nanya Trench Alliance (INTA) in Dresden. Die Forschungsergebnisse dieses Vortrags wurden zum Teil mit Unterstützung durch EPRE-Programme der Europäischen Gemeinschaft und durch Förderprogramme des Sächsischen Staates erzielt.
Philips Monitore baut seine E1-Serie mit den neuen Monitoren 24E1N1100A, 27E1N1100A und 27E1N1600AE um drei preiswerte Business-Modelle aus, die mit...
Hersteller KIOXIA ist in sehr vielen Marktsegmenten mit unterschiedlichen Speicherprodukten vertreten und natürlich auch im SSD-Markt aktiv. Dabei bietet das...
Mit der werksübertakteten und fast komplett schwarzen GeForce RTX 4080 SUPER ST 1-Click OC bringt KFA2 ein neues Spitzenmodell für...
Vom 21. bis 25. August 2024 findet die gamescom, das weltweit größte Games-Event, vor Ort in Köln und online auf...
In den letzten Jahren hat sich Gaming immer mehr zu einem wichtigen Bestandteil im Alltag und im Leben vieler Menschen...
KIOXIA bietet mit der EXCERIA PRO einen Serie interner PCIe Gen4 SSDs an, die für Kreative, Gamer und Profis konzipiert ist. Wir haben uns im Praxistest das 2-TB-Modell der Familie zur Brust genommen.
Vergangenen Sommer präsentierte Samsung die neue Galaxy Tab S9 Familie mit Dynamic AMOLED-Displays und der Qualcomm Snapdragon 8 Gen2 Plattform. Wir haben uns das S9 Ultra in einem Kurztest angesehen.
Mit der AMD Radeon RX 7900 GRE hat eine bisher als OEM-Variante vertriebene GPU nun den offiziellen Weg in den Handel gefallen. Passend zum Marktstart haben wir uns die Sapphire NITRO+ RX 7900 GRE im Test angesehen.
Die PRO Ultimate ist die bisher schnellste microSD von Samsung und erreicht bis zu 200 MB/s lesend und 130 MB/s schreibend. Wir haben die microSD-Karten mit verschiedenen Speicherkapazitäten und auch Kartenlesern geprüft.