NEWS / Infineon und Nanya: Kooperation bei 60 nm Speichern

Infineon und Nanya haben die Ausweitung ihrer gemeinsamen Entwicklungsaktivitäten für DRAMs vereinbart. Die beiden Unternehmen werden zusammen ab September 2005 moderne 60 nm Fertigungstechnologien für 300 mm Wafer entwickeln. Damit weiten Nanya und Infineon ihre bisherige Kooperation für die Entwicklung von 90 und 70 nm Fertigungstechnologien aus. Die neue Fertigungstechnologie, die Nanya und Infineon gemeinsam im Infineon-Werk Dresden entwickeln werden, wird zukünftig von beiden Unternehmen und vom gemeinsamen Fertigungs-Joint Venture Inotera Memories genutzt. Eine weitere Zusammenarbeit bei der Entwicklung von 60 nm Referenzprodukten ist bereits geplant. Mehr als 100 Mitarbeiter von Infineon und Nanya werden an diesem Projekt arbeiten. Voraussichtlich 2008 werden die ersten Speicherprodukte mit dem neuen 60 nm Fertigungsverfahren auf Basis der 300 mm Wafer produziert.

Über die gemeinsame Entwicklungszusammenarbeit bei Speichertechnologien auf Basis der Trench-Technologie hinaus sind Infineon und Nanya auch Partner beim Fertigungs-Joint Venture Inotera, das seinen Sitz in Taoyuan/Taiwan hat. Inotera ist auf die Produktion von DRAMs spezialisiert und hat sein Halbleiterwerk auf eine Produktionskapazität von über 60.000 Waferstarts pro Monat hochgefahren. Damit hat Inotera weltweit eine der größten Halbleiterfertigungen.