Heute begann in der ersten Intel 45 nm Fabrik in Chandler, Arizona, offiziell der Herstellungsprozess für eine neue Generation von Mikroprozessoren für PCs, Notebooks, Server und andere Computerendgeräte. Die drei Milliarden US-Dollar teure Anlage mit der Bezeichnung „Fab 32“ arbeitet vollständig auf Basis der 45 nm Technologie. Das Ergebnis: eine Reduzierung der Transistor-Leckströme. Die Fab 32 wird auf mehr als einer Million Quadratmetern Fläche künftig Zig-Millionen CPUs produzieren. Im kommenden Jahr plant Intel die Eröffnung von zwei weiteren 45 nm Fabriken.
Die Fab 32 ist Intels sechste 300 mm Wafer Fabrik und nach Oregon das zweite Werk, in dem 45 nm Chips produziert werden. Mit einer Reinraum-Fläche von 184.000 m² entspricht der Grundriss des neuen Werks der Größe von rund 17 Fußballfeldern. Die Belegschaft zählt mehr als 1.000 Beschäftigte in Produktion und Automation sowie Ingenieure und Fertigungstechniker. Mit der Fab 32 gehen 45 nm CPUs in die Massenfertigung. Zwei weitere Anlagen in Kiryat Gat (Israel) und Rio Rancho (New Mexico, USA) werden im kommenden Jahr an den Start gehen.
Die zukunftsweisenden 45 nm Transistoren verwenden ein Hafnium basierendes High-k Material für das so genannte Gate-Dielektrikum und für das Gate eine Mixtur verschiedener metallischer Substanzen. Dabei sind die Transistoren mittlerweile so klein, dass zwei Millionen von ihnen auf die Fläche des Punktes am Ende dieses Satzes passen würden. Dadurch, dass die Schaltgeschwindigkeit der Transistoren um rund 20 Prozent verbessert wurde, während sich gleichzeitig die Stromverluste beim Transistor um das Fünffache verringern, können nun erheblich sparsamere Prozessoren im Ultra-Low Power Bereich gefertigt werden. Zudem erweitern sich die Optionen für den Bau kleinerer und leistungsfähigerer Plattformen. Der erste 45 nm Prozessor der Penryn-Familie wird am 12. November vorgestellt.
