Die Qimonda AG hat am gestrigen Dienstag ihre Technologie-Roadmap bis zur 30 nm-Generation für DRAM-Speicherchips mit Zellgrößen von bis zu 4F² vorgestellt. F steht für die kleinste in einer Technologie fertigbare Strukturbreite und F² entsprechend für kleinstmögliche Fläche. Aktuelle DRAM-Zellen benötigen momentan etwa 6-8 F². Die Buried Wordline DRAM-Technologie von Qimonda kombiniert Leistungsfähigkeit, niedrigen Stromverbrauch und kleine Chipgrößen. Qimonda führt diese Technologie jetzt für Strukturbreiten von 65 nm ein und möchte ab der zweiten Jahreshälfte 2008 erste 1 GBit DDR2-Komponenten ausliefern.
Qimonda plant den Start der Massenfertigung seiner 46 nm Buried Wordline-Technologie für die zweite Jahreshälfte 2009. Diese Strukturbreite ermöglicht mehr als doppelt so viele Bits pro Wafer im Vergleich zur 58 nm Trench-Technologie. Für die Umstellung von der aktuellen Trench-Technologie auf die Buried Wordline-Technologie erwartet Qimonda einen zusätzlichen, einmaligen Investitionsaufwand in Höhe von etwa 100 Millionen Euro in den Geschäftsjahren 2009 und 2010, der voraussichtlich über den Cashflow finanziert wird.
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