NEWS / Intel, Samsung und TSMC planen 450 mm Wafer für 2012

06.05.2008 16:15 Uhr    Kommentare

Intel, Samsung und TSMC sind übereingekommen, gemeinsam den Wechsel hin zu größeren 450 mm Wafern einzuleiten. Die Zusammenarbeit beginnt 2012 und schafft die Voraussetzung für ein kontinuierliches Wachstum der Halbleiterindustrie. Die drei Unternehmen arbeiten mit der gesamten Halbleiterindustrie zusammen, um zu gewährleisten, dass die notwendigen Komponenten ebenso wie die Infrastruktur und Leistungsfähigkeit entsprechend entwickelt und getestet sind, damit zum ausgegebenen Zeitpunkt der Pilotlauf gestartet werden kann, so Intel.

Man ist überzeugt, dass die Halbleiterindustrie davon profitiert, wenn man sich auf die Einhaltung allgemein geltender Standards sowie einen gemeinsamen Zeitplan verständigt. Erreicht wird damit ein reduzierter Aufwand für Forschung und Entwicklung im Bereich 450 mm und eine Rationalisierung des Wechsels von der 300 mm Infrastruktur. Von der Kooperation versprechen sich die drei Unternehmen zudem, Risiken und Übergangskosten zu minimieren. Die Zusammenarbeit mit International Sematech (ISMI) wird dabei fortgesetzt. Diese spielt eine zentrale Rolle bei der Koordination innerhalb der Industrie, 450 mm Wafer auszuliefern, Standards zu setzen und Equipment für den Aufbau von Testumfeldern bereitzustellen.

Rückblickend lässt sich feststellen, dass die Herstellung mit größeren Wafern in der Vergangenheit stets dazu beigetragen hat, Halbleiter günstiger zu produzieren. Die gesamte Silizium Oberfläche eines 450 mm Wafers (etwa 159.000 mm²) und die Anzahl der gestanzten DIEs sind mehr als doppelt so hoch wie bei einem 300 mm Wafer (etwa 70.700 mm²). Somit lassen sich mit einem größeren Wafer die Produktionskosten pro Chip erheblich senken. Darüber hinaus reduziert sich der Ressourcenverbrauch pro Chip, da zum Beispiel Energie wesentlich effizienter eingesetzt wird. Der Übergang von 200 mm auf 300 mm Wafer etwa verringerte signifikant die gesamten Emissionen, die pro Chip bei der Herstellung entstehen. Einen ähnlichen Effekt verspricht der Wechsel hin zu 450 mm Wafern.

Bislang fand die Migration auf die nächst größeren Wafer stets im 10-Jahres-Rhythmus statt. So begann der Übergang zu 300 mm Wafern im Jahr 2001, die 200 mm Wafer wurden 1991 eingeführt. Vor diesem Hintergrund haben sich Intel, Samsung und TSMC auf den Wechsel zu 450 mm Wafern für 2012 verständigt.

Quelle: Hardware-Mag, Autor: Patrick von Brunn
Seagate FireCuda 520N SSD mit 1 TB im Test
Seagate FireCuda 520N SSD mit 1 TB im Test
FireCuda 520N SSD 1 TB

Mit der FireCuda 520N bietet Seagate eine Upgrade-SSD für Gaming-Handhelds wie Valve Steam Decks, ASUS ROG Ally, Lenovo Legion Go, Microsoft Surface und andere an. Wir haben die kompakte M.2 2230 SSD getestet.

KIOXIA EXCERIA PLUS G3 mit 2 TB im Test
KIOXIA EXCERIA PLUS G3 mit 2 TB im Test
KIOXIA EXCERIA PLUS G3 2 TB

Mit der EXCERIA PLUS G3 bietet KIOXIA eine Consumer-SSD mit PCI Express 4.0 x4 Interface an. Wir haben uns das 2-TB-Modell der Serie, basierend auf BiCS5-Flashspeicher, im Test genau angesehen und verglichen.

KIOXIA EXCERIA PRO SSD mit 2 TB im Test
KIOXIA EXCERIA PRO SSD mit 2 TB im Test
KIOXIA EXCERIA PRO SSD 2 TB

KIOXIA bietet mit der EXCERIA PRO einen Serie interner PCIe Gen4 SSDs an, die für Kreative, Gamer und Profis konzipiert ist. Wir haben uns im Praxistest das 2-TB-Modell der Familie zur Brust genommen.

Samsung Galaxy Tab S9 Ultra im Test
Samsung Galaxy Tab S9 Ultra im Test
Samsung Galaxy Tab S9 Ultra

Vergangenen Sommer präsentierte Samsung die neue Galaxy Tab S9 Familie mit Dynamic AMOLED-Displays und der Qualcomm Snapdragon 8 Gen2 Plattform. Wir haben uns das S9 Ultra in einem Kurztest angesehen.