Samsung hat mit der Auslieferung der industrieweit ersten Multi-Chip-Packages (MCPs) mit 512 Megabit PRAM (Phase-Change Random Access Memory) begonnen. Die neuen MCPs wurden speziell für den Einsatz in Mobiltelefonen und anderen tragbaren Anwendungen entwickelt. Die in den neuen MCPs enthaltenen PRAMs sind hard- und softwareseitig abwärtskompatibel zu NOR-Flash-Speichern der 40 nm-Klasse. Entwickler von Mobiltelefonen stehen mit Samsungs Multi-Chip-Packages Lösungen zur Verfügung, die zu 100 Prozent kompatibel zu bisherigen "Stand-Alone" PRAM-Chips sind. Experten erwarten, dass sich PRAMs 2011 in der Unterhaltungselektronik als Nachfolger von NOR-Flash-Speichern durchsetzen und zu einer bedeutenden Speichertechnologie avancieren werden.

PRAM speichert Daten in einem resistiven Phase-Change-Element. Als Basismaterial dient eine Legierung aus Germanium, Antimon und Titan. Die PRAM-Technologie erreicht beim Speichern von Daten eine drei Mal höhere Performance pro Wort als NOR-Chips. Samsungs neuer Speicher im MCP kombiniert die nichtflüchtigen Eigenschaften von Flash-Speicher mit der hohen Geschwindigkeit von DRAM. Die einfache Zellenstruktur von PRAMs vereinfacht und verkürzt die Entwicklung von MCP-Chips für Mobiltelefone. Technologie mit Geometrien der 30 nm-Klasse und darunter lassen sich somit sofort einsetzen. Dadurch werden die Schwierigkeiten der NOR-Flash-Technologie überwunden.