Samsung Electronics hat als erstes Unternehmen mit der Massenproduktion eines Hochleistungs-Toggle DDR 2.0 Multi-Level-Cell (MLC) Speicherchips begonnen. Der neue NAND-Flash-Chip verfügt über ein Speichervolumen von 64 Gigabit (Gb) und wird in einer 20 nm Prozesstechnologie hergestellt.
Ausgestattet mit einer Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0 Schnittstelle kann der neue 64 Gb-MLC-Speicherchip Daten mit einer Bandbreite von bis zu 400 MBps (Megabyte pro Sekunde) übertragen. Dies entspricht einer zehnfachen Geschwindigkeitssteigerung gegenüber den heute weit verbreiteten Single-Data-Rate (SDR) NAND-Flash-Speichern mit 40 MBps. Verglichen mit 133 MBps Toggle DDR 1.0 NAND-Flash-Speichern mit 32 Gb, welche Samsung 2009 einführte, bieten die neuen 64 Gb-MLC-Speicherchips eine drei Mal höhere Übertragungsrate.
Laut IHS iSuppli wird der weltweite Markt für NAND Flash Speicher auch in Zukunft stetig weiter wachsen. Ausgehend von etwa 11 Mrd. 1 Gigabyte (GB) äquivalenten Einheiten im Jahr 2010 wird das Marktvolumen bis 2015 auf 94 Mrd. 1 GB-Äquivalente anwachsen. Dies entspricht einem Wachstum von durchschnittlich 54 Prozent pro Jahr. Ferner rechnet man damit, dass 2012 NAND Flash Speicher mit 64 Gb oder mehr etwa 70 Prozent der gesamten NAND-Flash-Memory-Verkäufe ausmachen. Dies ist eine enorme Steigerung gegenüber den 3 Prozentpunkten im Jahr 2010.
