Samsung Electronics hat als erstes Unternehmen mit der Massenproduktion von sehr schnellen LPDDR3 (Low Power Double Data Rate 3) DRAMs mit 4 Gigabit (Gb) Speicherkapazität begonnen. Die mobilen DRAMs werden in 20 Nanometer Prozesstechnologie hergestellt. Sie sind damit eine attraktive Lösung für die anspruchsvollen Multimedia-Funktionen in Mobilgeräten der nächsten Generation, darunter besonders leistungsstarke Smartphones und Tablets.

Das 4 Gb LPDDR3 kann Daten mit bis zu 2.133 Mbit/s pro Pin übertragen und ist damit mehr als doppelt so schnell wie derzeitige LPDDR2 DRAMs mit Datenübertragungsraten von 800 Mbit/s. Dies macht es möglich, drei Full HD-Videos mit insgesamt 17 Gigabyte (GB) in nur einer Sekunde über den neuen Samsung Chip, eingebettet in ein Mobilgerät, zu übertragen. Samsungs 20 nm LPDDR3 Mobile DRAM ermöglicht das unterbrechungsfreie Abspielen von Full HD-Videos auf Smartphone-Bildschirmen mit 5 Zoll oder größer. Gegenüber LPDDR3 DRAMs in 30 nm-Prozesstechnologie erzielt das neue Bauteil eine über 30 Prozent höhere Leistungsfähigkeit bei 20 Prozent geringerem Energieverbrauch. Während die Bauhöhen von Mobilgeräten immer weiter reduziert werden, haben sich die Abmessungen für die Batterien ständig erhöht. Mit Samsungs 4 Gb LPDDR3 Mobile DRAM erhalten OEMs ein 2 GB Paket, das vier von Samsungs neuen Chips in nur einem Gehäuse mit einer Bauhöhe von 0,8 mm enthält.