Samsung hat mit der Massenproduktion des fortschrittlichsten DDR3-Memory in einer neuen 20 nm Prozesstechnologie begonnen. Samsung hat die Skalierung bei DRAMs extrem ausgereizt und zugleich aktuell verfügbare Immersion ArF Lithografie genutzt, um sein 20 nm DDR3-DRAM mit 4 Gigabit zu realisieren.
Bei DRAM Memory, bei dem jede Zelle aus einem Kondensator und einem mit diesem verbundenen Transistor besteht, ist die Skalierung schwieriger als bei NAND-Flash-Memory, bei dem eine Zelle nur einen Transistor benötigt. Um die Skalierung bei fortschrittlicheren DRAMs weiter zu führen, hat Samsung seine Design- und Fertigungstechnologien überarbeitet und ein modifiziertes Verfahren hervorgebracht, welches aus Doppelstrukturierung (Double Patterning) und Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition oder ALD) besteht.
Samsungs modifizierte Technologie der Doppelstrukturierung setzt einen neuen Meilenstein, indem sie der 20 nm DDR3-Produktion mit herkömmlichen Fotolitografiegeräten ermöglicht, die Core-Technologie für die nächste Generation der 10-nm-Class DRAM Produktion zu realisieren. Samsung hat außerdem ultradünne dielektrische Schichten (Layer) mit Zellenkondensatoren und einzigartiger Regelmäßigkeit realisiert und so eine höhere Leistungsfähigkeit der Zellen erzielt.
Bei diesem neuenn 20 nm DDR3-DRAM hat Samsung auch die Produktivität in der Fertigung gesteigert. Diese ist über 30 Prozent höher als die beim bisherigen 25 nm DDR3 und über doppelt so hoch wie bei 30-nm-Class DDR3. Darüber hinaus lassen sich mit den neuen 20 nm 4Gb DDR3 Modulen bis zu 25 Prozent Energie gegenüber der 25-nm-Technologie einsparen.
