Samsung hat mit der Massenproduktion seiner 8 Gigabit (Gb) DDR4-Speicher und eines darauf basierenden 32 Gigabyte (GB) Moduls begonnen. Beide Speicherlösungen werden in einer neuen Prozesstechnologie mit Halbleitergeometrien von 20 nm gefertigt und sind für den Einsatz in Enterprise Servern prädestiniert. Einschließlich seines neuen 8 Gb DDR4 bietet Samsung jetzt ein komplettes Spektrum an 20 nm-basierten DRAM-Memorys an und führt eine neue Ära hinsichtlich der Effizienz bei 20 nm DRAMs an. Dies beinhaltet auch 20 nm 4 Gb DDR3 für PCs und das 20 nm 6 Gb LPDDR3 für Mobilgeräte.
Basierend auf dem neuen Chip hat Samsung zum Monatsbeginn mit der Produktion des 32 GB RDIMM (Registered Dual In-Line Memory Modul) begonnen. Die Datenübertragungsrate pro Pin des neuen Moduls erreicht Werte bis 2.400 Mbit/s. Gegenüber der Bandbreite eines DDR3 Server-Moduls von 1.866 Mbit/s entspricht dies einer Steigerung der Leistungsfähigkeit um etwa 29%. Das neue High Density DDR4 Memory ist mit verbesserten Fehlerkorrekturfunktionen ausgestattet.Darüber hinaus arbeiten der neue DDR4-Chip und das neue 32 GB-Modul mit 1,2 Volt und damit sehr sparsam.
