Samsung hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten 128 Gigabyte (GB) Ultra-Fast Embedded Memory auf Basis des mit Spannung erwarteten Universal Flash Storage (UFS) 2.0 Standards für Smartphones der nächsten Generation begonnen. Die UFS 2.0-Schnittstelle des neuen Embedded Memory ist die weltweit fortschrittlichste JEDEC-konforme Spezifikation für Flash-Speicher der nächsten Generation.
UFS Memory nutzt mit “Command Queue” eine Technologie, die in SSDs über eine serielle Schnittstelle die Geschwindigkeit der Befehlsausführung beschleunigt. Dies erhöht die Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten gegenüber dem parallelen eMMC-Standard mit 8bit erheblich. Als Resultat ermöglicht das UFS Memory von Samsung 19.000 IOPS (Input/Output Operationen pro Sekunde). Dies ist 2,7 Mal schneller als das heute gebräuchlichste Embedded Memory für High-End Smartphones – das eMMC 5.0. Außerdem liefert das UFS Memory eine sequenzielle Lese- und /Schreib-Leistungssteigerung bis auf SSD Level und benötigt 50 Prozent weniger Energie. Darüber hinaus ist die Geschwindigkeit für wahlfreie Lesevorgänge 12 Mal höher als die einer typischen High-Speed Memory-Karte (die mit 1.500 IOPS läuft). Somit wird eine deutlich höhere System-Leistungsfähigkeit erwartet.
Beim wahlfreien Schreiben von Daten in den Speicher arbeitet das UFS Embedded Memory mit 14.000 IOPS. Es ist damit 28 Mal schneller als herkömmliche externe Speicherkarten. Memory ermöglicht somit das reibungslose Abspielen von Ultra HD Videos bei der gleichzeitigen Ausführung von Multitasking-Funktionen. Samsungs neues UFS Embedded Memory gibt es in Versionen mit 128, 64 und 32 GB. Dies sind die doppelten Kapazitäten wie das eMMC-Angebot des Unternehmens.
