Samsung hat mit der Massenproduktion der ersten 10-Nanometer-Class (1y-nm) LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) DRAMs der zweiten Generation begonnen. Beim Einsatz der neuen DRAMs in Premium-Smartphones und anderen Mobilgeräten lässt sich ein höherer Wirkungsgrad und somit eine längere Batterielaufzeit erzielen. Verglichen mit den Mobile DRAM-Chips, die am häufigsten in aktuellen Flagship-Mobilgeräten verbaut sind (1x-nm 16Gb LPDDR4X), senken die LPDDR4X DRAMs der zweiten Generation die Leistungsaufnahme um bis zu 10% bei gleich bleibender Datenübertragungsrate von 4.266 Mb/s (Megabit pro Sekunde).
Samsung wird sein Premium-DRAM-Angebot, welches auf dem 1y-nm-Prozess basiert, um mehr als 70% erweitern. Diese Initiative begann mit der Massenproduktion des ersten 10nm-Class 8Gb DDR4 Server-DRAM letzten November und wird nur acht Monate später mit diesem mobilen 16Gb LPDDR4X Speicherchip fortgesetzt. Laut Samsung hat das Unternehmen ein 8GB LPDDR4X Mobile DRAM-Package entwickelt, indem vier der 10nm-Class 16Gb LPDDR4X DRAM-Chips kombiniert wurden. Dieses 4-Kanal-Package kann eine Datenübertragungsrate von 34,1GB/s erreichen und seine Stärke konnte gegenüber der Packages der ersten Generation um über 20% verringert werden. Somit können OEMs schlankere und effizientere Mobilgeräte entwickeln.
