Samsung hat mit der Massenproduktion des ersten embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 mit einer Kapazität von 1 Terabyte begonnen. Die neuen eUFS-Speicher sollen speziell in Mobilgeräten der nächsten Generation zum Einsatz kommen. Nur vier Jahre nach Einführung der ersten UFS-Lösung mit einer Kapazität von 128 Gigabyte hat Samsung jetzt die lang erwartete Terabyte-Schwelle bei Smartphone-Speichern überschritten.

Bei gleichen Gehäuseabmessungen (11,5 mm x 13,0 mm) wie die 512-GB-Vorgängerversion bietet die neue 1-TB-eUFS-Lösung die doppelte Speicherkapazität und enthält einen Stapel mit 16 Lagen von Samsungs 512 Gbit V-NAND Flash Memory und einem neu entwickelten proprietären Controller. Bei einer Übertragungsgeschwindigkeit von bis zu 1.000 MB/s erreicht das neue eUFS etwa die doppelte sequentielle Lesegeschwindigkeit einer typischen 2,5-Zoll-SSD. Ferner hat sich die Geschwindigkeit beim wahlfreien Lesen (Random Read Speed) gegenüber der 512-GB-Version um 38 Prozent auf bis zu 58.000 IOPS erhöht. Die Geschwindigkeit beim wahlfreien Schreiben (Random Write Speed) ist mit bis zu 50.000 IOPS deutlich höher als bei einer Hochleistungs-microSD-Karte.

Samsung plant, die Produktion seiner 512 Gbit V-NANDs der fünften Generation in seinem Werk in Pyeongtaek, Korea, im Verlauf der ersten Jahreshälfte 2019, weiter auszubauen, um die zu erwartende Nachfrage von Geräteherstellern nach 1-TB-eUFS-Lösungen zu erfüllen.