ad-banner

NEWS / 512mbit - DRAM

18.10.2001 06:30 Uhr

Die Infineon Technologies AG hat in ihrer 200mm-Wafer Fabrik in Dresden begonnen einen neuartigen 512mbit DRAM herzustellen. Ausserdem gibt es auch einen neuen, verkleinerten 256mbit-DRAM zu fertigen. Die beiden Speicher werden durch Infineons neue 0.14-mikron technologie ermöglicht.
Der Vorteil der 0.14-mikron technologie ist, dass die Herstellungskosten der 256mbit Module um ca.30% verringert werden konnten. Auch die Grösse der Bausteine kan so um etwa 18% verringert werden.
Die neuen Technologie soll bald auch in den Fabriken in den USA und Taiwan benutzt werden.

Quelle: SiliconStrategies, Autor: Michael Mense
TRENDnet TEG-S Desktop 10G Switch Test
TRENDnet TEG-S Desktop 10G Switch Test
TEG-S708

Der TEG-S Desktop 10G Switch ist ein unmanaged Gerät mit 8 schnellen 10G-Ports. Wir haben uns den TEG-S708 in einem Kurztest zur Brust genommen, Messungen durchgeführt und berichten nun darüber.

Kingston IronKey Locker+ 50 G2 64 GB Test
Kingston IronKey Locker+ 50 G2 64 GB Test
IronKey Locker+ 50 G2 64 GB

Der IronKey Locker+ 50 G2 von Kingston ist ein USB-Flashspeicher mit 256 Bit starker AES-HW-Verschlüsselung im XTS-Modus. Wir haben das 64-GB-Modell im Praxistest genauer begutachtet.